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1. (WO2016190160) CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE TANTALE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/190160 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/064538
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 17.05.2016
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,C22C 27/02 (2006.01) ,C22F 1/00 (2006.01) ,C22F 1/18 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
C
ALLIAGES
27
Alliages à base de rhénium ou d'un métal réfractaire non mentionné dans les groupes C22C14/ ou C22C16/144
02
Alliages à base de vanadium, niobium ou tantale
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
F
MODIFICATION DE LA STRUCTURE PHYSIQUE DES MÉTAUX OU ALLIAGES NON FERREUX
1
Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
F
MODIFICATION DE LA STRUCTURE PHYSIQUE DES MÉTAUX OU ALLIAGES NON FERREUX
1
Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
16
des autres métaux ou de leurs alliages
18
Métaux réfractaires ou à point de fusion élevé ou leurs alliages
Déposants :
JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
Inventeurs :
永津 光太郎 NAGATSU Kotaro; JP
仙田 真一郎 SENDA Shinichiro; JP
Mandataire :
小越 勇 OGOSHI Isamu; JP
Données relatives à la priorité :
2015-10429422.05.2015JP
Titre (EN) TANTALUM SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE TANTALE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé :
(EN) When backscattered electron diffraction is used to observe the normal direction ND of the rolling surface, i.e. a cross section orthogonal to the sputtering surface of the target, this tantalum sputtering target has an area ratio of crystal grains of which the {100} plane is oriented in ND of at least 30%. The present invention addresses the problem of providing a tantalum sputtering target with which the film-formation rate can be suitably controlled under high-power sputtering conditions. When such a tantalum target is used to form a film by way of sputtering, a thin film exhibiting excellent film-thickness uniformity can be formed, and productivity of the thin film formation process can be improved, even with regard to fine wiring.
(FR) Lorsque la diffraction d'électrons rétrodiffusés est utilisée pour observer la direction normale (ND) de la surface de roulement, c'est-à-dire une section transversale orthogonale à la surface de pulvérisation de la cible, la cible de pulvérisation à base de tantale selon l'invention présente un rapport de surface des grains cristallins dont le plan {100} est orienté dans la direction normale supérieur ou égal à 30 %. La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une cible de pulvérisation à base de tantale permettant de contrôler de manière appropriée le débit de formation de film sous des conditions de pulvérisation de haute puissance. Lorsqu'une telle cible à base de tantale est utilisée pour former un film par pulvérisation cathodique, il est possible d'obtenir un film mince présentant une excellente uniformité d'épaisseur de film, et la productivité du procédé de formation de film mince peut être améliorée, y compris en ce qui concerne un câblage fin.
(JA) 後方散乱電子回折法を用いてターゲットのスパッタ面に対して垂直な断面である圧延面法線法方向:NDを観察したとき、{100}面がNDに配向している結晶粒の面積率が30%以上であるタンタルスパッタリングターゲット。本発明は、ハイパワースパッタ状況下において、成膜速度を適切に制御することが可能なタンタルスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。このようなタンタルターゲットを用いてスパッタリング成膜した場合、微細配線においても、膜厚の均一性に優れた薄膜を形成することができると共に、薄膜形成プロセスにおける生産性を向上することができる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)