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1. (WO2016190004) DISPOSITIF DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE

Pub. No.:    WO/2016/190004    International Application No.:    PCT/JP2016/062399
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed Apr 20 01:59:59 CEST 2016
IPC: C23C 16/44
C23C 16/455
H01L 21/31
Applicants: THE JAPAN STEEL WORKS,LTD.
株式会社日本製鋼所
Inventors: MATSUMOTO Tatsuya
松本 竜弥
WASHIO Keisuke
鷲尾 圭亮
Title: DISPOSITIF DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE
Abstract:
Le dispositif de croissance de couche atomique de l’invention est équipé d’un injecteur installé sur une partie ouverture de réceptacle de formation de film, et d’un matériau anti-adhésion d’injecteur qui est installé par insertion dans la partie ouverture. L’injecteur est équipé séparément : d’un trajet d’alimentation en gaz de matière première d’injecteur, d’un orifice d’alimentation en gaz de matière première d’injecteur, d’un trajet d’alimentation en gaz réactif d’injecteur, d’un orifice d’alimentation en gaz réactif d’injecteur, d’un trajet d’alimentation en gaz inerte d’injecteur et d’un orifice d’alimentation en gaz inerte d’injecteur. Le matériau anti-adhésion d’injecteur est équipé séparément : d’un trajet d’alimentation en gaz de matière première de matériau anti-adhésion, d’un orifice d’alimentation en gaz de matière première de matériau anti-adhésion, d’un trajet d’alimentation en gaz réactif de matériau anti-adhésion, d’un orifice d’alimentation en gaz réactif de matériau anti-adhésion, d’un trajet d’alimentation en gaz inerte de matériau anti-adhésion et d’un orifice d’alimentation en gaz inerte de matériau anti-adhésion. Le trajet d’alimentation en gaz inerte de matériau anti-adhésion est agencé dans un intervalle entre un côté périphérique externe du matériau anti-adhésion d’injecteur et un côté périphérique interne de la partie ouverture de manière à permettre la circulation du gaz inerte.