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1. (WO2016189956) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/189956 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/059817
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 28.03.2016
CIB :
H02B 1/20 (2006.01) ,H02G 5/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
B
TABLEAUX, POSTES DE TRANSFORMATION OU DISPOSITIONS DE COMMUTATION POUR L'ALIMENTATION OU LA DISTRIBUTION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
1
Charpentes, tableaux, panneaux, pupitres, enveloppes; Détails de postes de transformation ou de dispositions de commutation
20
Schémas de barres omnibus ou d'autres fileries, p.ex. dans des armoires, dans les stations de commutation
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
G
INSTALLATION DE CÂBLES OU DE LIGNES ÉLECTRIQUES, OU DE LIGNES OU DE CÂBLES ÉLECTRIQUES ET OPTIQUES COMBINÉS
5
Installations de barres omnibus
06
Installations fermées, p.ex. en coffrets métalliques
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
梅本 貴弘 UMEMOTO Takahiro; JP
大竹 泰智 OTAKE Yasutomo; JP
吉村 学 YOSHIMURA Manabu; JP
中田 勝志 NAKADA Katsushi; JP
Mandataire :
村上 啓吾 MURAKAMI Keigo; JP
Données relatives à la priorité :
2015-10594026.05.2015JP
Titre (EN) ELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 電気機器および電気機器の製造方法
Abrégé :
(EN) In the present invention the angle of inclination of a first opposing surface of a protruding first solid insulator (4) of a first high-voltage device (1) is less than the angle of inclination of a second opposing surface of a recessed second solid insulator (7) of a second high-voltage device (2), and a hollow truncated-cone-shaped flexible insulator (13), the thickness of every part of which prior to insertion between the first high-voltage device (1) and the second high-voltage device (2) is the same, and the elasticity of which gradually increases from a smaller-diameter side to a larger-diameter side, or a hollow truncated-cone-shaped flexible insulator (33), the thickness of which prior to insertion gradually increases from a smaller-diameter side to a larger-diameter side, and the elasticity of every part of which is the same, is compressed and clamped between the first solid insulator (4) and the second solid insulator (7).
(FR) Selon la présente invention, l'angle d'inclinaison d'une première surface opposée d'un premier isolateur solide faisant saillie (4) d'un premier dispositif haute tension (1) est inférieur à l'angle d'inclinaison d'une seconde surface opposée d'un second isolateur solide en retrait (7) d'un second dispositif haute tension (2), et un isolateure flexible en forme de cône tronqué creux (13), dont l'épaisseur de chaque partie avant insertion entre le premier dispositif haute tension (1) et le second dispositif haute tension (2) est identique, et dont l'élasticité augmente progressivement depuis un côté de diamètre plus petit vers un côté de diamètre plus grand, ou un isolateur flexible en forme de cône tronqué creux (33), dont l'épaisseur avant insertion augmente progressivement depuis un côté de diamètre plus petit vers un côté de diamètre plus grand, et dont l'élasticité de chaque partie est identique, est comprimé et serré entre le premier isolateur solide (4) et le second isolateur solide (7).
(JA) 第1高電圧機器(1)の突出した第1固体絶縁物(4)の第1対向面傾斜角が、第2高電圧機器(2)の窪んだ第2固体絶縁物(7)の第2対向面傾斜角より小さくなっており、第1高電圧機器(1)と第2高電圧機器(2)との間に挿入される前の肉厚が全部位で同じであり、弾性率が小径側から大径側に向かって徐徐に大きくなっている中空円錐台状の可撓性絶縁物(13)、もしくは挿入される前の肉厚が小径側から大径側に向かって徐徐に厚くなっており、弾性率が全部位で同じである中空円錐台状の可撓性絶縁物(33)を、第1固体絶縁物(4)と第2固体絶縁物(7)とで圧縮して挟持しているものである。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)