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1. (WO2016189831) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2016/189831    International Application No.:    PCT/JP2016/002430
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Thu May 19 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 27/115
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
Inventors: SHIIMOTO, Tsunenori
Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne des semi-conducteurs et des procédés de fabrication de semi-conducteurs. Un semi-conducteur peut inclure une pluralité de couches isolantes, et une pluralité de couches conductrices, les couches isolantes et les couches conductrices étant empilées en alternance. Une pluralité d'électrodes traversantes pénètrent dans les couches conductrices. Au moins certaines des électrodes traversantes sont électriquement connectées à une des couches conductrices. De plus, différentes couches conductrices sont connectées à différentes électrodes traversantes. Un procédé de formation d'une structure semi-conductrice consiste à réaliser une pluralité d'anti-fusibles, chacune des électrodes traversantes étant séparée de chacune des couches conductrices par un anti-fusible. Le procédé consiste en outre à appliquer une première tension à une première électrode traversante tout en appliquant moins d'une deuxième tension aux autres électrodes, la première tension étant supérieure à la deuxième tension.