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1. (WO2016189817) DISPOSITIF DE PILOTAGE DE TRANSISTOR DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2016/189817    International Application No.:    PCT/JP2016/002331
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Fri May 13 01:59:59 CEST 2016
IPC: H03K 17/567
H02M 1/08
H03K 17/08
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: NAGASE, Takuo
長瀬 拓生
Title: DISPOSITIF DE PILOTAGE DE TRANSISTOR DE PUISSANCE
Abstract:
L'invention concerne un dispositif de pilotage de transistor de puissance, comprenant : un transistor à effet de champ (FET) (30) ; un transistor bipolaire du type à grille isolée (IGBT) (20) connecté en parallèle avec le transistor à effet de champ ; un premier circuit d'attaque (11) pour générer une première tension de grille qui est appliquée à la grille du transistor bipolaire du type à grille isolée, afin de débloquer le transistor bipolaire du type à grille isolée ; un second circuit d'attaque (13) pour régler une seconde tension de grille qui est appliquée à la grille du transistor à effet de champ et débloque ou bloque le transistor à effet de champ ; et un circuit de détection (12, 15) pour détecter si le transistor bipolaire du type à grille isolée a été débloqué lorsque le premier circuit d'attaque a généré la première tension de grille. Le fait que le circuit de détection détecte que le transistor bipolaire du type à grille isolée a été débloqué est utilisé dans le second circuit d'attaque comme critère pour générer la seconde tension de grille pour débloquer le transistor à effet de champ.