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1. (WO2016189804) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/189804    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/002253
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 07.05.2016
CIB :
H03K 17/08 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP)
Inventeurs : KAKIMOTO, Noriyuki; (JP)
Mandataire : KIN, Junhi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-107448 27.05.2015 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: a first power semiconductor element (14); a second power semiconductor element (12) that is connected in parallel to the first power semiconductor element; a voltage changing unit (13) that changes the voltage applied to a control terminal of the first power semiconductor element when the second power semiconductor element is turned on; a detection unit (16) that detects the current flowing through the first power semiconductor element when the voltage changing unit has changed the voltage applied to the control terminal of the first power semiconductor element; and a temperature estimation unit (17) that estimates the temperature of the first power semiconductor element on the basis of properties relating to the change in current corresponding to the change in the voltage applied to the first power semiconductor element. This makes it possible to estimate the temperature of the first power semiconductor element without using a temperature-sensitive diode.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur comprenant : un premier élément à semi-conducteur électrique (14); un second élément à semi-conducteur électrique (12) qui est connecté en parallèle avec le premier élément à semi-conducteur électrique; une unité de changement de tension (13) qui change la tension appliquée à une borne de commande du premier élément à semi-conducteur électrique lorsque le second élément à semi-conducteur électrique est débloqué; une unité de détection (16) qui détecte le courant circulant dans le premier élément à semi-conducteur électrique lorsque l'unité de changement de tension a changé la tension appliquée à la borne de commande du premier élément à semi-conducteur électrique; et une unité d'estimation de température (17) qui estime la température du premier élément à semi-conducteur électrique sur la base de propriétés relatives à la variation de courant correspondant au changement de la tension appliquée au premier élément à semi-conducteur électrique. Il est ainsi possible d'estimer la température du premier élément à semi-conducteur électrique sans utiliser une diode sensible à la température.
(JA)半導体装置は、第1のパワー半導体素子(14)と、第1のパワー半導体素子に対して、並列接続された第2のパワー半導体素子(12)と、第2のパワー半導体素子がオンされているときに、第1のパワー半導体素子の制御端子に印加される電圧を変化させる電圧変化部(13)と、電圧変化部が第1のパワー半導体素子の制御端子への印加電圧を変化させたとき、第1のパワー半導体素子に流れる電流を検出する検出部(16)と、第1のパワー半導体素子における印加電圧の変化に対する電流の変化の特性に基づいて、第1のパワー半導体素子の温度を推定する温度推定部(17)と、を備える。これにより、感温ダイオードを使用せずに、第1のパワー半導体素子の温度を測定することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)