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1. (WO2016189802) FABRICATION DE DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES À BASE DE PÉROVSKITE STABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/189802 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/002250
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 06.05.2016
CIB :
H01L 51/48 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
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spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
OKINAWA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY SCHOOL CORPORATION [JP/JP]; 1919-1 Tancha, Onna-son, Kunigami-gun, Okinawa 9040495, JP
Inventeurs :
QI, Yabing; JP
RUIZ RAGA, Sonia; JP
ONO, Luis Katsuya; JP
Mandataire :
KATAYAMA, Shuhei; JP
Données relatives à la priorité :
62/165,57522.05.2015US
Titre (EN) FABRICATION OF STABLE PEROVSKITE-BASED OPTOELECTRONIC DEVICES
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES À BASE DE PÉROVSKITE STABLES
Abrégé :
(EN) A method of fabricating a perovskite-based optoelectronic device is provided, the method comprising: forming an active layer comprising organometal halide perovskite; making a solution comprising a hole transport material (HTM) and a solvent, the solvent having a boiling point lower than that of chlorobenzene; and forming a hole transport layer (HTL) by spin-coating the solution on the active layer. The solvents having a boiling point lower than that of chlorobenzene include chloroform and dichloromethane.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique à base de pérovskite, le procédé consistant : à former une couche active comprenant une pérovskite d’halogénure d’organométal ; à réaliser une solution comprenant un matériau de transport de trous (HTM) et un solvant, le point d’ébullition du solvant étant inférieur à celui du chlorobenzène ; et à former une couche de transport de trous (HTL) par centrifugation de la solution sur la couche active. Les solvants dont le point d’ébullition est inférieur à celui du chlorobenzène incluent le chloroforme et le dichlorométhane.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)