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1. (WO2016189772) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/189772 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/000158
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 14.01.2016
CIB :
H01L 43/08 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01) ,H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06
en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09
des dispositifs magnéto-résistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8246
Structures de mémoires mortes (ROM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION[JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
Inventeurs : SEINO, Takuya; JP
NISHIMURA, Kazumasa; JP
IRISAWA, Toshikazu; JP
SHIBUICHI, Saki; JP
Mandataire : OKABE, Yuzuru; JP
Données relatives à la priorité :
2015-10434122.05.2015JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果素子
Abrégé :
(EN) A magnetoresistive effect element according to the present invention has a barrier layer, a reference layer formed on one surface of the barrier layer, a free layer formed on the other surface of the barrier layer, and a pin layer disposed on the opposite side of the reference layer from the barrier layer. The pin layer is provided with a structure laminated in the order of Ni/Co/Pt/Co/Ru/Co/Pt/Co/Ni.
(FR) Un élément à effet magnétorésistif selon la présente invention a une couche barrière, une couche de référence formée sur une surface de la couche barrière, une couche libre formée sur l'autre surface de la couche barrière, et une couche de broche disposée sur le côté opposé de la couche de référence depuis la couche barrière. La couche de broche comporte une structure stratifiée dans l'ordre de Ni/Co/Pt/Co/Ru/Co/Pt/Co/Ni.
(JA) 本発明に係る磁気抵抗効果素子は、バリア層、バリア層の一方の表面に形成されたリファレンス層、バリア層の他方の表面に形成されたフリー層、およびリファレンス層のバリア層とは逆側に配置されたピン層を有し、ピン層は、Ni/Co/Pt/Co/Ru/Co/Pt/Co/Niの順番で積層された構造を備える。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)