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1. (WO2016189752) FIL DE CONNEXION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/189752 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/066392
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 05.06.2015
CIB :
H01L 21/60 (2006.01) ,C22C 9/00 (2006.01) ,C22F 1/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
C
ALLIAGES
9
Alliages à base de cuivre
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
F
MODIFICATION DE LA STRUCTURE PHYSIQUE DES MÉTAUX OU ALLIAGES NON FERREUX
1
Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
08
du cuivre ou de ses alliages
Déposants : NIPPON MICROMETAL CORPORATION[JP/JP]; 158-1 Oaza Sayamagahara, Iruma-shi, Saitama 3580032, JP
NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.[JP/JP]; 16-3, Ginza 7-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
Inventeurs : YAMADA, Takashi; JP
ODA, Daizo; JP
HAIBARA, Teruo; JP
UNO, Tomohiro; JP
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; JP
Données relatives à la priorité :
2015-10636826.05.2015JP
Titre (EN) BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FIL DE CONNEXION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置用ボンディングワイヤ
Abrégé :
(EN) Provided is a Cu bonding wire having a Pd coating layer on the surface thereof, the bonding wire being suitable for vehicle-mounted devices and having improved bonding reliability at ball joints in a high-temperature high-humidity environment. This bonding wire for semiconductor devices includes: a Cu alloy core material; and a Pd coating layer formed on the surface thereof. The bonding wire includes a total of from 0.1 to 100 ppm by mass of one or more types of elements among Ga, Ge, As, Te, Sn, Sb, Bi, and Se. Thus, the bonding life of ball joints in a high-temperature high-humidity environment is improved, and bonding reliability can be improved. When the Cu alloy core material further includes from 0.011 to 1.2 mass% of one or more of Ni, Zn, Rh, In, Ir, and Pt, ball joint reliability in a high-temperature environment of 170°C or higher can be improved. Further, when an alloy skin layer including Au and Pd is formed on the surface of the Pd coating layer, wedge bondability is improved.
(FR) L'invention concerne un fil de connexion de Cu ayant une couche de revêtement de Pd sur sa surface, le fil de connexion étant approprié pour des dispositifs embarqués et présentant une meilleure fiabilité de liaison au niveau de joints à rotule dans un environnement à humidité élevée et à haute température. Ce fil de connexion pour dispositifs à semi-conducteur comprend : un matériau central d'alliage de Cu ; et une couche de revêtement de Pd formée sur sa surface. Le fil de connexion comprend un total de 0,1 à 100 ppm en masse d'un ou de plusieurs types d'éléments parmi Ga, Ge, As, Te, Sn, Sb, Bi et Se. Ainsi, la durée de vie de liaison des joints à rotule dans un environnement à humidité élevée et à haute température est améliorée, et la fiabilité de liaison peut être améliorée. Lorsque le matériau central d'alliage de Cu comprend en outre de 0,011 à 1,2 % en masse d'un ou de plusieurs éléments parmi Ni, Zn, Rh, In, Ir et Pt, la fiabilité des joints à rotule dans un environnement à haute température de 170 °C ou plus peut être améliorée. En outre, lorsqu'une couche de peau d'alliage comportant Au et Pd est formée sur la surface de la couche de revêtement de Pd, la capacité de liaison en coin est améliorée.
(JA) 表面にPd被覆層を有するCuボンディングワイヤにおいて、高温高湿環境でのボール接合部の接合信頼性を改善し、車載用デバイスに好適なボンディングワイヤを提供する。Cu合金芯材とその表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ボンディングワイヤがGa、Ge、As、Te、Sn、Sb、Bi、Seの1種以上の元素を合計で0.1~100質量ppm含有する。これにより、高温高湿環境下でのボール接合部の接合寿命を向上し、接合信頼性を改善することができる。Cu合金芯材がさらにNi、Zn、Rh、In、Ir、Ptの1種以上をそれぞれ0.011~1.2質量%含有すると、170℃以上の高温環境でのボール接合部信頼性を向上できる。また、Pd被覆層の表面にさらにAuとPdを含む合金表皮層を形成するとウェッジ接合性が改善する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)