Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2016189643) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2016/189643    International Application No.:    PCT/JP2015/064998
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed May 27 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 21/60
H01L 21/304
H01L 21/3205
H01L 21/768
H01L 23/522
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKATA, Yosuke
中田 洋輔
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention comprend : une étape (S01) de préparation d'un substrat semi-conducteur présentant une première surface principale et une deuxième surface principale située à l'opposé de la première surface principale; une étape (S02) de formation d'une première électrode sur la première surface principale; une étape (S03) de formation d'un film métallique d'assemblage par brasage (premier film métallique d'assemblage par brasage) sur la première électrode; une étape (S04) de formation d'un film sacrificiel sur le premier film métallique d'assemblage par brasage; une étape (S06) de meulage de la deuxième surface principale après que le film sacrificiel a été formé; une étape (S07) consistant à effectuer, après l'étape de meulage (S06), un traitement thermique (une structure d'élément étant formée côté troisième surface principale à l'étape (S07)); une étape (S10) d'élimination du film sacrificiel après l'étape de traitement thermique (S07); et une étape (S12) d'assemblage par brasage du premier film métallique d'assemblage par brasage et d'une première électrode externe.