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1. (WO2016189415) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/189415    N° de la demande internationale :    PCT/IB2016/052813
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 16.05.2016
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : MIYAIRI, Hidekazu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-106411 26.05.2015 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、および電子機器
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device that occupies a small surface area. Also provided is a semiconductor device that can be produced with high productivity. A p-channel transistor is formed, and an n-channel transistor is formed on the p-channel transistor using an oxide semiconductor, thereby constituting an integrated circuit. The semiconductor device comprises a first wiring, second wiring, third wiring and fourth wiring; the p-channel transistor has a first conductor, a second conductor and a third conductor; and the n-channel transistor has a third conductor, a fourth conductor and a fifth conductor. The third conductor is positioned above the first conductor, the first wiring is positioned above the third conductor, the second wiring is positioned above the second conductor, the fourth wiring is positioned above the fourth conductor, and the third wiring is positioned above the fifth conductor.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur de faible encombrement. L'invention se rapporte également à un dispositif à semi-conducteur qui peut être produit avec une productivité élevée. Un transistor à canal p est formé, et un transistor à canal n est formé sur le transistor à canal p à l'aide d'un semi-conducteur d'oxyde, constituant ainsi un circuit intégré. Le dispositif à semi-conducteur comprend un premier câblage, un deuxième câblage, un troisième câblage et un quatrième câblage ; le transistor à canal p comporte un premier conducteur, un deuxième conducteur et un troisième conducteur ; et le transistor à canal n comporte un troisième conducteur, un quatrième conducteur et un cinquième conducteur. Le troisième conducteur est positionné au-dessus du premier conducteur, le premier câblage est positionné au-dessus du troisième conducteur, le deuxième câblage est positionné au-dessus du deuxième conducteur, le quatrième câblage est positionné au-dessus du quatrième conducteur, et le troisième câblage est positionné au-dessus du cinquième conducteur.
(JA)占有面積の小さい半導体装置を提供する。または、生産性の高い半導体装置を提供する。 pチャネル型のトランジスタと、pチャネル型のトランジスタ上に酸化物半導体を用いたnチャネル 型トランジスタと、を形成し、集積回路を構成する。また、第1の配線、第2の配線、第3の配線、 および第4の配線を有し、 pチャネル型のトランジスタは、 第1の導電体と、 第2の導電体と、 第3 の導電体とを有し、 nチャネル型のトランジスタは、 第3の導電体と、 第4の導電体と、 第5の導電 体とを有する。また、第1の導電体上に、第3の導電体が配置され、かつ第3の導電体上に、第1の 配線が配置されており、 第2の導電体上に、 第2の配線が配置されており、 第4の導電体上に、 第4 の配線が配置されており、第5の導電体上に、第3の配線が配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)