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1. (WO2016189411) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE COMPRENANT UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/189411    N° de la demande internationale :    PCT/IB2016/052758
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 13.05.2016
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : KOEZUKA, Junichi; (JP).
JINTYOU, Masami; (--).
SHIMA, Yukinori; (--)
Données relatives à la priorité :
2015-104502 22.05.2015 JP
2015-150231 30.07.2015 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE COMPRENANT UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The reliability of a transistor including an oxide semiconductor can be improved by suppressing a change in electrical characteristics. A transistor included in a semiconductor device includes a first oxide semiconductor film over a first insulating film, a gate insulating film over the first oxide semiconductor film, a second oxide semiconductor film over the gate insulating film, and a second insulating film over the first oxide semiconductor film and the second oxide semiconductor film. The first oxide semiconductor film includes a channel region in contact with the gate insulating film, a source region in contact with the second insulating film, and a drain region in contact with the second insulating film. The second oxide semiconductor film has a higher carrier density than the first oxide semiconductor film.
(FR)La fiabilité d'un transistor comprenant un semi-conducteur d'oxyde peut être améliorée par suppression d'un changement des caractéristiques électriques. Un transistor inclus dans un dispositif à semi-conducteur comprend un premier film semi-conducteur d'oxyde sur un premier film isolant, un film isolant de grille sur le premier film semi-conducteur d'oxyde, un second film semi-conducteur d'oxyde sur le film isolant de grille, et un second film isolant sur le premier film semi-conducteur d'oxyde et le second film semi-conducteur d'oxyde. Le premier film semi-conducteur d'oxyde comprend une zone de canal en contact avec le film isolant de grille, une zone de source en contact avec le second film isolant, et une zone de drain en contact avec le second film isolant. Le second film semi-conducteur d'oxyde a une densité de porteurs supérieure à celle du premier film semi-conducteur d'oxyde.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)