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1. (WO2016189308) TRANSISTOR DE PUISSANCE BIPOLAIRE À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2016/189308    International Application No.:    PCT/GB2016/051518
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Thu May 26 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/66
H01L 29/16
H01L 29/739
H01L 29/45
H01L 29/49
C23C 16/32
Applicants: ANVIL SEMICONDUCTORS LIMITED
Inventors: WARD, Peter
Title: TRANSISTOR DE PUISSANCE BIPOLAIRE À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
L'invention porte sur un transistor de puissance bipolaire à semi-conducteurs. Le transistor comprend un substrat semi-conducteur d'un second type de conductivité, le substrat semi-conducteur formant une zone de migration semi-conductrice; une première zone semi-conductrice, d'un premier type de conductivité opposé au second type de conductivité, disposée sur une première surface de la zone de migration semi-conductrice; une zone de corps du premier type de conductivité située sur ou à l'intérieur de la zone de migration semi-conductrice, la zone de corps étant adjacente à une seconde surface de la zone de migration, la seconde surface de la zone de migration étant à l'opposé de la première surface de la zone de migration; une zone de source du second type de conductivité, située à l'intérieur de la zone de corps; une grille placée au-dessus de la zone de source, la grille servant à commander la charge dans une zone de canal comprise entre la zone de migration semi-conductrice et la zone de source et à commander ainsi la circulation de charge à l'intérieur de la zone de migration semi-conductrice. La première zone semi-conductrice comprend un matériau comportant du carbure de silicium cubique à 3 bicouches (3C-SiC).La zone de migration semi-conductrice comprend un matériau comportant du carbure de silicium hexagonal à 4 bicouches (4H-SiC). La zone de corps comprend un matériau comportant du carbure de silicium cubique à 3 bicouches (3C-SiC).