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1. (WO2016188589) MODULE CONVERTISSEUR COMMANDÉ PAR TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/188589    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/061907
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 28.05.2015
CIB :
H02M 1/32 (2007.01), H02M 7/757 (2006.01), H02M 7/483 (2007.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München (DE)
Inventeurs : DORN, Jörg; (DE).
GAMBACH, Herbert; (DE).
SCHMITT, Daniel; (DE).
SCHREMMER, Frank; (DE).
VIETH, Michael; (DE).
WAHLE, Marcus; (DE).
ZENKNER, Andreas; (DE)
Données relatives à la priorité :
Titre (DE) SPANNUNGSGEFÜHRTES STROMRICHTERMODUL
(EN) VOLTAGE-REGULATED POWER CONVERTER MODULE
(FR) MODULE CONVERTISSEUR COMMANDÉ PAR TENSION
Abrégé : front page image
(DE)Ein spannungsgeführtes Stromrichtermodul (1), umfassend einen elektrischen Ladungsspeicher (14) und einen mit diesem verbundenen Halbleiterschalter (8) mit einem Kollektor (8k), einem Gate (8g) und einem Emitter (8e), wobei die Kollektor- Emitter-Strecke des Halbleiterschalters (8) in einen Strompfad (16) zwischen einem ersten und einem zweiten Wechselstromanschluss (2, 4) des Stromrichtermoduls (1) geschaltet ist, wobei die Wechselstromanschlüsse (2, 4) über einen Bypassschalter (20) verbindbar sind, soll im Fehlerfall eine Entstehung von Schäden minimieren und einen Weiterbetrieb des Multilevel-Stromrichters erlauben, ohne dass dafür jedoch ein extrem schneller Bypassschalter verwendet werden müsste. Dazu sind Kollektor (8k) und Gate (8g) des Halbleiterschalters (8) durch eine Schaltungsanordnung (22) verbunden, die derart ausgebildet ist, dass sie oberhalb einer vorgegebenen Spannungsschwelle leitend wird.
(EN)The invention relates to a voltage-regulated power converter module (1) comprising an electrical charge storage means (14) and a semiconductor switch (8) connected thereto and having a collector (8k), a gate (8g) and an emitter (8e), wherein the collector-emitter distance of the semiconductor switch (8) is switched into a current path (16) between a first and a second AC power connection (2, 4) of the power converter module (1), wherein the AC power connections (2, 4) can be connected via a bypass switch (20), wherein the voltage-regulated power converter module should minimize the occurrence of damages in the event of a fault, and allow the multilevel power converter to continue operating without possibly having to use an extremely fast bypass switch for this purpose. To this end, the collector (8k) and the gate (8g) of the semiconductor switch (8) are connected via a circuit arrangement (22), which is configured such that it becomes conductive above a predefined voltage threshold.
(FR)L'invention concerne un module convertisseur (1) commandé par tension, comportant un accumulateur de charge électrique (14) et un commutateur à semi-conducteurs (8) connecté à celui-ci et comprenant un collecteur (8k), une grille (8g) et un émetteur (8e), la section collecteur-émetteur du commutateur à semi-conducteurs (8) étant branchée dans un trajet de courant (16) entre une première et une deuxième borne à courant alternatif (2, 4) du module convertisseur (1), les bornes à courant alternatif (2, 4) pouvant être connectées par le biais d'un commutateur de dérivation (20). Le module convertisseur selon l'invention doit, en cas de défaillance, réduire au minimum l'apparition de dommages et permettre la poursuite du fonctionnement du convertisseur multi-niveaux, sans devoir pour autant utiliser à cet effet un commutateur de dérivation extrêmement rapide. A cet effet, le collecteur (8k) et la grille (8g) du commutateur à semi-conducteurs (8) sont connectés au moyen d'un ensemble de circuits (22) qui est conçu de telle sorte qu'il soit conducteur au-dessus d'un seuil de tension prédéfini.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)