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1. (WO2016188550) SAS, SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT LINÉAIRE ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT LINÉAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/188550 N° de la demande internationale : PCT/EP2015/061414
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 22.05.2015
CIB :
H01L 21/67 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants :
SCHNAPPENBERGER, Frank [DE/DE]; DE (US)
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
SCHNAPPENBERGER, Frank; DE
Mandataire :
KRAUSHAAR, Marc; Zimmermann & Partner Patentanwälte MBB Josephspitalstr. 15 80331 München, DE
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LOCK CHAMBER, INLINE SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND METHOD OF OPERATING AN INLINE SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) SAS, SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT LINÉAIRE ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT LINÉAIRE
Abrégé :
(EN) According to the present disclosure, an inline substrate processing system (100) for processing an essentially vertically-oriented substrate (131) is provided. The inline substrate processing system includes a first processing chamber (110) having a first processing region (116) and being adapted to deposit a first material layer on the substrate; a second processing chamber (120) having a second processing region (126) and being adapted to deposit a second material layer on the substrate; and a loadlock chamber (130) adapted to load and unload the substrate from the inline substrate processing system. The loadlock chamber is arranged between the first processing chamber and the second processing chamber.
(FR) La présente invention concerne un système (100) de traitement de substrat linéaire permettant de traiter un substrat (131) orienté essentiellement verticalement. Le système de traitement de substrat linéaire comprend une première chambre (110) de traitement comportant une première région (116) de traitement et conçue pour le dépôt d'une première couche de matériau sur le substrat ; une seconde chambre (120) de traitement comportant une seconde région (126) de traitement et conçue pour le dépôt d'une seconde couche de matériau sur le substrat ; et un sas de chargement (130) conçu pour charger et décharger le substrat à partir du système de traitement de substrat linéaire. Le sas de chargement est agencé entre la première chambre de traitement et la seconde chambre de traitement.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)