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1. (WO2016188052) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2016/188052    International Application No.:    PCT/CN2015/094391
Publication Date: Fri Dec 02 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Fri Nov 13 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 29/76
H01L 29/423
H01L 29/66
H01L 21/28
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: KONG, Xiangyong
孔祥永
ZHU, Xiaming
朱夏明
LIU, Xiaodi
刘晓娣
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
Abstract:
L'invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication, un substrat de réseau et un dispositif d'affichage. Le transistor à couches minces comprend : un substrat (11), et une couche active (12), une électrode de source (13), une électrode de grille et une électrode de drain (14) formées sur le substrat (11). Deux extrémités de la couche active (12) sont respectivement connectées à l'électrode de source (13) et à l'électrode de drain (14). L'électrode de grille comprend une grille supérieure (15) et une porte inférieure (16). La grille supérieure (15) comprend une grille supérieure de partie supérieure (15a) et une grille supérieure latérale (15b) connectée à la grille supérieure de partie supérieure (15a). La grille supérieure de partie supérieure (15a) et la grille inférieure (16) sont disposées de manière opposée dans une direction perpendiculaire au substrat (11), et la grille supérieure latérale (15b) s'étend de la grille supérieure de partie supérieure (15a) au substrat (11). La couche active (12) est prise en sandwich entre la grille supérieure de partie supérieure (15a) et la grille inférieure (16), et une paroi latérale de la couche active (12) est au moins partiellement entourée par la grille supérieure latérale (15b). L'électrode de grille, l'électrode de source (13) et l'électrode de drain (14) sont constituées d'un matériau conducteur opaque.