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1. (WO2016187995) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT PHOSPHORESCENT DOPÉ À COUCHE DOUBLE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/187995    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/090098
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 21.09.2015
CIB :
H01L 51/52 (2006.01), H01L 51/54 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
ORDOS YUANSHENG OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; Ordos Equipment Manufacturing Base Dongsheng District Ordos, Inner Mongolia 017020 (CN)
Inventeurs : CHEN, Lei; (CN).
ZHANG, Xiaojin; (CN).
LAI, Weilin; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510276057.9 26.05.2015 CN
Titre (EN) DOUBLY-LAYERED DOPED PHOSPHORESCENT LIGHT EMITTING DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT PHOSPHORESCENT DOPÉ À COUCHE DOUBLE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 双层掺杂磷光发光器件及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A doubly-layered doped phosphorescent light emitting device and a preparation method therefor. The doubly-layered doped phosphorescent light emitting device comprises a doubly-layered light emitting layer (13), wherein the doubly-layered light emitting layer comprises a first light emitting layer (131) and a second light emitting layer (132). The first light emitting layer (131) and the second light emitting layer (132) each comprise a host material and a guest material. The host material of the first light emitting layer (131) is a hole-type host material, and the host material of the second light emitting layer (132) is an electronic-type host material. The doubly-layered doped phosphorescent light emitting device can avoid the problem of poor device repeatability due to doping proportion fluctuation in a process caused by three-source evaporation in independent double-host doping and limits on material selection in pre-mixed double-host doping.
(FR)La présente invention porte sur dispositif électroluminescent phosphorescent dopé à double couche et son procédé de préparation. Le dispositif électroluminescent phosphorescent dopé à double couche comprend une couche d'émission de lumière à double couche (13), la couche d'émission de lumière à double couche comprenant une première couche d'émission de lumière (131) et une seconde couche d'émission de lumière (132). La première couche d'émission de lumière (131) et la seconde couche d'émission de lumière (132) comprennent chacune une matière hôte et une matière invité. La matière hôte de la première couche d'émission de lumière (131) est une matière hôte de type à trous, et la matière hôte de la seconde couche d'émission de lumière (132) est une matière hôte de type électronique. Le dispositif électroluminescent phosphorescent dopé à double couche peut éviter le problème de mauvaise reproductibilité de dispositif dû à une fluctuation de proportion de dopage dans un procédé due à l'évaporation à trois source dans le dopage à double hôte indépendant et des limites sur la sélection de matière dans le dopage à double hôte pré-mélangé.
(ZH)一种双层掺杂磷光发光器件及其制备方法。该双层掺杂磷光发光器件包括双层发光层(13),其中,所述双层发光层包括第一发光层(131)和第二发光层(132),所述第一发光层(131)和第二发光层(12)均包括主体材料和客体材料,所述第一发光层(131)的主体材料为空穴型主体材料,所述第二发光层(132)的主体材料为电子型主体材料。该双层掺杂磷光发光器件可以避免独立双主体掺杂中三源共蒸带来的因工艺掺杂比例的波动而导致的器件重复性能差的问题以及预混合的双主体掺杂中材料选择的限制。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)