WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016154132) GÉNÉRATION DE TENSION DE BANDE INTERDITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/154132    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/023451
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 21.03.2016
CIB :
G05F 3/16 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P. O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-8366 (JP) (JP only)
Inventeurs : ROY, Subrato; (IN)
Mandataire : DAVIS, Jr., Michael, A.; Texas Instruments Incorporated P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
14/664,803 20.03.2015 US
Titre (EN) BANDGAP VOLTAGE GENERATION
(FR) GÉNÉRATION DE TENSION DE BANDE INTERDITE
Abrégé : front page image
(EN)In described examples, a bandgap reference voltage generator includes first and second bipolar junction transistors (PNPl, PNP2). The second transistor (PNP2) is biased at a lower current per unit emitter area than that of the first transistor (PNPl). Accordingly, the base to emitter voltage of the first transistor (PNPl) is higher than that of the second transistor (PNP2), and a delta VBE is generated at the base of the first transistor (PNPl) with respect to the base of the second transistor (PNP2). A first voltage divider (R1/R2) generates a divided voltage of a VBE (fractional VBE) at a first center node. The fractional VBE is added to the VBE of the first transistor (PNPl) and subtracted from the VBE of the second transistor (PNP2) by closed loop feedback action (via 420) to generate a temperature compensated reference voltage at the base of second transistor (PNP2). The reference voltage can be amplified to higher voltage levels (VRGB) by using a resistor divider (R4/R3) at the base of second transistor (PNP2).
(FR)Dans des exemples décrits, un générateur de tension de référence de bande interdite comprend des premier et second transistors à jonction bipolaire (PNPl, PNP2). Le second transistor (PNP2) est polarisé à un courant inférieur par zone d'émetteur unitaire à celui du premier transistor (PNPl). En conséquence, la tension base-émetteur du premier transistor (PNPl) est supérieure à celle du second transistor (PNP2), et une tension VBE delta est générée à la base du premier transistor (PNPl) par rapport à la base du second transistor (PNP2). Un premier diviseur de tension (R1/R2) génère une tension divisée d'une VBE (VBE fractionnaire) à un premier nœud central. La VBE fractionnaire est ajoutée à la VBE du premier transistor (PNPl) et soustraite de la VBE du second transistor (PNP2) via une action de rétroaction en boucle fermée (étape 420) de sorte à générer une tension de référence compensée en température à la base du second transistor (PNP2). La tension de référence peut être amplifiée à des niveaux de tension plus élevés (VRGB) en utilisant un diviseur de résistance (R4/R3) à la base du second transistor (PNP2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)