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1. (WO2016154061) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/154061 N° de la demande internationale : PCT/US2016/023280
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 18.03.2016
CIB :
H01L 21/50 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01) ,H05K 3/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
Déposants : ROHINNI, LLC.[US/US]; 2139 N. Main Street Coeur D'Alene, ID 83814, US
Inventeurs : HUSKA, Andrew; US
PETERSON, Cody; US
ADAMS, Clinton; US
KUPCOW, Sean; US
Mandataire : ALLEN, Richard, L.; US
Données relatives à la priorité :
14/939,89612.11.2015US
62/136,43420.03.2015US
62/146,95613.04.2015US
Titre (EN) METHOD FOR TRANSFER OF SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A method of transferring semiconductor devices to a product substrate includes positioning a surface of the product substrate to face a first surface of a semiconductor wafer having the semiconductor devices thereon, and actuating a transfer mechanism to cause the transfer mechanism to engage a second surface of the semiconductor wafer. The second surface of the semiconductor wafer is opposite the first surface of the semiconductor wafer. Actuating the transfer mechanism includes causing a pin to thrust against a position on the second surface of the semiconductor wafer corresponding to a position of a particular semiconductor device located on the first surface of the semiconductor wafer, and retracting the pin to a rest position. The method further includes detaching the particular semiconductor device from the second surface of the semiconductor wafer, and attaching a particular semiconductor device to the product substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de transfert de dispositifs à semi-conducteurs à un substrat de produit, qui consiste à positionner une surface du substrat du produit de manière qu'elle soit en regard d'une première surface d'une tranche de semi-conducteur portant les dispositifs à semi-conducteur sur elle, et à actionner un mécanisme de transfert pour amener le mécanisme de transfert à venir en prise avec une seconde surface de la tranche de semi-conducteur. La seconde surface de la tranche de semi-conducteur est à l'opposé de la première surface de la tranche de semi-conducteur. L'actionnement du mécanisme de transfert consiste à amener une broche à pousser contre une position, sur la seconde surface de la tranche de semi-conducteur, correspondant à une position d'un dispositif à semi-conducteur particulier situé sur la première surface de la tranche de semi-conducteur, et à rétracter la broche jusqu'à une position de repos. Le procédé consiste en outre à détacher le dispositif à semi-conducteur particulier de sur la seconde surface de la tranche de semi-conducteur, et à fixer le dispositif à semi-conducteur particulier au substrat de produit.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)