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1. (WO2016154061) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/154061    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/023280
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 18.03.2016
CIB :
H01L 21/50 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), H05K 3/00 (2006.01)
Déposants : ROHINNI, LLC. [US/US]; 2139 N. Main Street Coeur D'Alene, ID 83814 (US)
Inventeurs : HUSKA, Andrew; (US).
PETERSON, Cody; (US).
ADAMS, Clinton; (US).
KUPCOW, Sean; (US)
Mandataire : ALLEN, Richard, L.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/146,956 13.04.2015 US
14/939,896 12.11.2015 US
62/136,434 20.03.2015 US
Titre (EN) METHOD FOR TRANSFER OF SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method of transferring semiconductor devices to a product substrate includes positioning a surface of the product substrate to face a first surface of a semiconductor wafer having the semiconductor devices thereon, and actuating a transfer mechanism to cause the transfer mechanism to engage a second surface of the semiconductor wafer. The second surface of the semiconductor wafer is opposite the first surface of the semiconductor wafer. Actuating the transfer mechanism includes causing a pin to thrust against a position on the second surface of the semiconductor wafer corresponding to a position of a particular semiconductor device located on the first surface of the semiconductor wafer, and retracting the pin to a rest position. The method further includes detaching the particular semiconductor device from the second surface of the semiconductor wafer, and attaching a particular semiconductor device to the product substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de transfert de dispositifs à semi-conducteurs à un substrat de produit, qui consiste à positionner une surface du substrat du produit de manière qu'elle soit en regard d'une première surface d'une tranche de semi-conducteur portant les dispositifs à semi-conducteur sur elle, et à actionner un mécanisme de transfert pour amener le mécanisme de transfert à venir en prise avec une seconde surface de la tranche de semi-conducteur. La seconde surface de la tranche de semi-conducteur est à l'opposé de la première surface de la tranche de semi-conducteur. L'actionnement du mécanisme de transfert consiste à amener une broche à pousser contre une position, sur la seconde surface de la tranche de semi-conducteur, correspondant à une position d'un dispositif à semi-conducteur particulier situé sur la première surface de la tranche de semi-conducteur, et à rétracter la broche jusqu'à une position de repos. Le procédé consiste en outre à détacher le dispositif à semi-conducteur particulier de sur la seconde surface de la tranche de semi-conducteur, et à fixer le dispositif à semi-conducteur particulier au substrat de produit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)