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1. (WO2016153987) PROCÉDÉS DE GRAVURE PAR LE BIAIS DE CYCLES DE DÉPÔT PAR COUCHES ATOMIQUES (ALD)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/153987    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/023110
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 18.03.2016
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : FU, Xinyu; (US).
GANDIKOTA, Srinivas; (US).
CHANG, Mei; (US).
GANGULI, Seshadri; (US).
JIAN, Guoqiang; (US).
YANG, Yixiong; (US).
BANTHIA, Vikash; (US).
BAKKE, Jonathan; (US)
Mandataire : TABOADA, Alan; (US)
Données relatives à la priorité :
62/136,018 20.03.2015 US
14/717,740 20.05.2015 US
Titre (EN) METHODS FOR ETCHING VIA ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) CYCLES
(FR) PROCÉDÉS DE GRAVURE PAR LE BIAIS DE CYCLES DE DÉPÔT PAR COUCHES ATOMIQUES (ALD)
Abrégé : front page image
(EN)Methods for etching a substrate are provided herein. In some embodiments, a method for etching a substrate disposed within a processing volume of a process chamber includes: (a) exposing a first layer disposed atop the substrate to a first gas comprising tungsten chloride (WClx) for a first period of time and at a first pressure, wherein x is 5 or 6; (b) purging the processing volume of the first gas using an inert gas for a second period of time; (c) exposing the substrate to a hydrogen-containing gas for a third period of time to etch the first layer after purging the processing volume of the first gas; and (d) purging the processing volume of the hydrogen-containing gas using the inert gas for a fourth period of time.
(FR)L'invention concerne des procédés de gravure d'un substrat. Dans certains modes de réalisation, un procédé de gravure d'un substrat disposé à l'intérieur d'un volume de traitement d'une chambre de traitement consiste à : (a) soumettre une première couche disposée au sommet du substrat à l'action d'un premier gaz comprenant du chlorure de tungstène (WClx) pendant une première période et d'une première pression, x valant 5 ou 6 ; (b) purger le volume de traitement du premier gaz à l'aide d'un gaz inerte pendant une deuxième période ; (c) soumettre le substrat à l'action d'un gaz contenant de l'hydrogène pendant une troisième période pour graver la première couche après la purge du volume de traitement du premier gaz ; et (d) purger le volume de traitement du gaz contenant de l'hydrogène à l'aide du gaz inerte pendant une quatrième période.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)