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1. (WO2016153970) CIRCUIT À TRANSISTORS MONTÉS EN CASCODE EN CIRCUIT INTÉGRÉ MONOLITHIQUE HYPERFRÉQUENCE (MMIC)

Pub. No.:    WO/2016/153970    International Application No.:    PCT/US2016/023045
Publication Date: Fri Sep 30 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Sat Mar 19 00:59:59 CET 2016
IPC: H03F 1/22
H03F 3/193
H03F 3/195
H03F 3/21
Applicants: RAYTHEON COMPANY
Inventors: REED, Thomas, B.
Title: CIRCUIT À TRANSISTORS MONTÉS EN CASCODE EN CIRCUIT INTÉGRÉ MONOLITHIQUE HYPERFRÉQUENCE (MMIC)
Abstract:
L'invention concerne un circuit à transistors en cascode comportant une région active, la région active comportant une source, un drain, une source/drain flottante, une première grille disposée entre la source et la source/drain flottante et une seconde grille disposée entre la source/drain flottante et le drain. Une première plage de connexion de grille est décalée de la région active et est connectée électriquement à la première grille, et une seconde plage de connexion de grille est décalée de la région active et est connectée électriquement à la seconde grille. Les première et seconde plages de connexion de grille sont disposées sur des côtés opposés de la région active.