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1. (WO2016153970) CIRCUIT À TRANSISTORS MONTÉS EN CASCODE EN CIRCUIT INTÉGRÉ MONOLITHIQUE HYPERFRÉQUENCE (MMIC)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/153970    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/023045
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 18.03.2016
CIB :
H03F 1/22 (2006.01), H03F 3/193 (2006.01), H03F 3/195 (2006.01), H03F 3/21 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US)
Inventeurs : REED, Thomas, B.; (US)
Mandataire : MOFFORD, Donald, F.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/663,974 20.03.2015 US
Titre (EN) MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT (MMIC) CASCODE CONNECTED TRANSISTOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT À TRANSISTORS MONTÉS EN CASCODE EN CIRCUIT INTÉGRÉ MONOLITHIQUE HYPERFRÉQUENCE (MMIC)
Abrégé : front page image
(EN)A cascode transistor circuit having an active region, the active region having a source, a drain, a floating source/drain, a first gate disposed between the source and the floating source/drain and a second gate disposed between the floating source/drain and the drain. A first gate pad is displaced from the active region and is electrically connected to the first gate and a second gate pad is displaced from the active region and is electrically connected to the second gate. The first and the second gate pads are disposed on opposite sides of the active region.
(FR)L'invention concerne un circuit à transistors en cascode comportant une région active, la région active comportant une source, un drain, une source/drain flottante, une première grille disposée entre la source et la source/drain flottante et une seconde grille disposée entre la source/drain flottante et le drain. Une première plage de connexion de grille est décalée de la région active et est connectée électriquement à la première grille, et une seconde plage de connexion de grille est décalée de la région active et est connectée électriquement à la seconde grille. Les première et seconde plages de connexion de grille sont disposées sur des côtés opposés de la région active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)