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1. (WO2016153778) PILOTE UTILISANT UN TRANSISTOR NMOS D'EXCURSION HAUTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/153778 N° de la demande internationale : PCT/US2016/021397
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 08.03.2016
CIB :
H03K 19/0185 (2006.01) ,G11C 7/10 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : THILENIUS, Stephen Clifford; US
ISAKANIAN, Patrick; US
LOKE, Alvin Leng Sun; US
BRYAN, Thomas Clark; US
PETERSON, LuVerne Ray; US
Mandataire : WORLEY, Eugene R.; Loza & Loza LLP 305 North Second Avenue, #127 Upland, CA 91786, US
Données relatives à la priorité :
14/957,18802.12.2015US
62/138,31225.03.2015US
62/233,13525.09.2015US
Titre (EN) DRIVER USING PULL-UP NMOS TRANSISTOR
(FR) PILOTE UTILISANT UN TRANSISTOR NMOS D'EXCURSION HAUTE
Abrégé : front page image
(EN) In one embodiment, a system comprises a pre-driver circuit and a driver. The pre-driver circuit is powered by a first supply voltage, and configured to output a pre-drive signal. The driver comprises a pull-up NMOS transistor having a drain coupled to a second supply voltage, and a source coupled to an output of the driver, wherein the second supply voltage is lower than the first supply voltage by at least a threshold voltage of the pull-up NMOS transistor. The driver also comprises a drive circuit coupled to a gate of the pull-up NMOS transistor, wherein the drive circuit is configured to receive the pre-drive signal and to drive the gate of the pull-up NMOS transistor with a voltage approximately equal to the first supply voltage to drive the output of the driver to a high state depending on a logic state of the pre-drive signal.
(FR) Dans un mode de réalisation, un système comprend un circuit de pré-attaque et un pilote. Le circuit de pré-attaque est alimenté par une première tension d'alimentation, et est conçu pour délivrer en sortie un signal de pré-attaque. Le pilote comprend un transistor NMOS d'excursion haute (pu) présentant un déversoir couplé à une seconde tension d'alimentation, et une source couplée à une sortie du pilote, la seconde tension d'alimentation étant inférieure à la première tension d'alimentation à hauteur d'au moins une tension seuil du transistor NMOS d'excursion haute. Le conducteur comprend également un circuit d'attaque couplé à une grille du transistor NMOS d'excursion haute, le circuit d'attaque étant conçu pour recevoir le signal de pré-attaque et pour attaquer la grille du transistor NMOS d'excursion haute au moyen d'une tension approximativement égale à la première tension d'alimentation en vue d'attaquer la sortie du pilote à un état haut en fonction d'un état logique du signal de pré-attaque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)