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1. (WO2016153569) MATÉRIAU SN-SE-S POLYCRISTALLIN DU TYPE N DOPÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/153569    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/065127
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 10.12.2015
CIB :
H01L 35/14 (2006.01), H01L 35/16 (2006.01), H01L 35/34 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM [US/US]; 4800 Calhoun Road Houston, Texas 77004 (US)
Inventeurs : REN, Zhifeng; (US).
ZHANG, Qian; (US).
CHERE, Eyob Kebede; (US)
Mandataire : MAAG, Gregory L.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/138,084 25.03.2015 US
Titre (EN) DOPED N-TYPE POLYCRYSTALLINE Sn-Se-S AND METHODS OF MANUFACTURE
(FR) MATÉRIAU SN-SE-S POLYCRISTALLIN DU TYPE N DOPÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a thermoelectric material according to various SSnSe-based formulas, and the systems and methods of manufacturing the thermoelectric, high performance material by hot pressing materials according to various formulas in order to obtain a figure of merit (ZT) suitable for thermoelectric applications at high (above 600K) temperatures. A disclosed method comprises hot-pressing a powder that comprises Sn and Se in a predetermined direction to form a pressed component, wherein the pressed component comprises a ZT value of at least 0.8 above about 750 K.
(FR)La présente invention concerne un matériau thermoélectrique répondant à diverses formules à base de SSnSe, et des systèmes et procédés de fabrication du matériau thermoélectrique à hautes performances par compression à chaud de matériaux répondant à diverses formules afin d'obtenir un facteur de mérite (ZT) approprié pour des applications thermoélectriques à hautes températures (au-dessus de 600 K). Un procédé décrit comprend la compression à chaud d'une poudre qui comprend de l'étain (Sn) et du sélénium (Se) dans une direction prédéterminée pour former un constituant comprimé, le constituant comprimé présentant une valeur ZT d'au moins 0,8 au-dessus d'environ 750 K.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)