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1. (WO2016153516) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À RÉSISTANCE CONTENANT DES SÉLECTEURS VOLATILES DOPÉS AVEC UN MÉTAL DE CATION ET ÉLECTRODES À MÉTAL DE CATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/153516    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/022706
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 26.03.2015
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, Texas 77070 (US)
Inventeurs : GE, Ning; (US).
YANG, Jianhua; (US).
LI, Zhiyong; (US)
Mandataire : OLLINS, David W.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RESISTANCE MEMORY DEVICES INCLUDING CATION METAL DOPED VOLATILE SELECTORS AND CATION METAL ELECTRODES
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À RÉSISTANCE CONTENANT DES SÉLECTEURS VOLATILES DOPÉS AVEC UN MÉTAL DE CATION ET ÉLECTRODES À MÉTAL DE CATION
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile memory cell includes a volatile selector electrically coupled in series with a nonvolatile memory device. The nonvolatile memory device includes a switching oxide or switching nitride sandwiched between a first bottom elec-trode and a first top electrode. The volatile selector includes a selector insulator sandwiched between a second bottom electrode and a second top electrode. The selector insulator may be composed of a composite material of a dielectric and fast-diffusing cation metal particles. One or both of the second bottom electrode and the second top electrode may comprise the same metal as the fast-diffusing cation metal particles in the selector insulator. A memory array including a plurality of the nonvolatile memory cells is also disclosed.
(FR)Une cellule de mémoire non volatile comprend un sélecteur volatile couplé électriquement en série à un dispositif de mémoire non volatile. Le dispositif de mémoire non volatile comprend un oxyde de commutation ou un nitrure de commutation pris en sandwich entre une première électrode inférieure et une première électrode supérieure. Le sélecteur volatile comprend un isolant de sélecteur pris en sandwich entre une deuxième électrode inférieure et une deuxième électrode supérieure. L’isolant de sélecteur peut être constitué d’un matériau composite à base de particules de métal de cation diélectriques et à diffusion rapide. L’une ou l’autre ou les deux parmi la deuxième électrode inférieure et la deuxième électrode supérieure peuvent comprendre le même métal que celui des particules de métal de cation à diffusion rapide de l’isolant de sélecteur. L’invention concerne également un réseau de mémoire contenant une pluralité des cellules de mémoire non volatile.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)