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1. (WO2016153214) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET BOÎTIER D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/153214    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/002637
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 16.03.2016
CIB :
H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 98, Huam-ro Jung-gu Seoul 04637 (KR)
Inventeurs : LEE, Sang Youl; (KR).
KIM, Hoe Jun; (KR).
JUNG, Sung Ho; (KR)
Mandataire : PARK, Young Bok; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0042676 26.03.2015 KR
Titre (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING ELEMENT PACKAGE
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET BOÎTIER D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(KO) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
Abrégé : front page image
(EN)A light-emitting element in an embodiment comprises: a substrate; a light-emitting structure which is disposed on the substrate and comprises a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; first and second electrodes which are respectively connected to the first and second conductive semiconductor layers; first and second bonding pads respectively connected to the first and second electrodes; and insulator layers which are disposed between the first bonding pad and the second electrode, and between the second bonding pad and the first electrode. The first thickness of the first electrode may be 1/3 or less of the second thickness of the insulator layer disposed between the second bonding pad and the first electrode.
(FR)Selon un mode de réalisation, l'invention porte sur un élément électroluminescent qui comprend : un substrat; une structure électroluminescente qui est disposée sur le substrat et comprend une première couche de semi-conducteur conductrice, une couche active et une seconde couche de semi-conducteur conductrice; des première et seconde électrodes qui sont respectivement connectées aux première et seconde couches de semi-conducteur conductrices; des première et secondes plages de connexion connectées respectivement aux première et seconde électrodes; et des couches d'isolant qui sont disposées entre la première plage de connexion et la seconde électrode, et entre la seconde plage de connexion et la première électrode. La première épaisseur de la première électrode peut être inférieure ou égale à 1/3 de la seconde épaisseur de la couche d'isolant disposée entre la seconde plage de connexion et la première électrode.
(KO)실시 예의 발광 소자는 기판과, 기판에 배치되며 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 연결되는 제1 및 제2 전극과, 제1 및 제2 전극과 각각 연결된 제1 및 제2 본딩 패드 및 제1 본딩 패드와 제2 전극의 사이 및 제2 본딩 패드와 제1 전극의 사이에 각각 배치된 절연층을 포함하고, 제1 전극의 제1 두께는 제2 본딩 패드와 제1 전극 사이에 배치된 상기 절연층의 제2 두께의 1/3 이하일 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)