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1. (WO2016153131) ÉLECTRODE TRANSPARENTE EN GRAPHÈNE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT, AINSI QUE SUPERCONDENSATEUR L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/153131    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/009014
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 27.08.2015
CIB :
H01G 11/32 (2013.01), H01G 11/86 (2013.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS [KR/KR]; 156, Gajeongbuk-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34103 (KR)
Inventeurs : JO, Kyung-Min; (KR).
KIM, Kwang-Seop; (KR).
KIM, Sang-Min; (KR).
LEE, Seung-Mo; (KR).
KIM, Jae-Hyun; (KR).
LEE, Hak-Joo; (KR)
Mandataire : PANKOREA PATENT AND LAW FIRM; 13F, 70 Nonhyeon-ro 85-gil, Gangnam-gu, Seoul 06234 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0041332 25.03.2015 KR
Titre (EN) TRANSPARENT GRAPHENE ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SUPERCAPACITOR USING SAME
(FR) ÉLECTRODE TRANSPARENTE EN GRAPHÈNE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT, AINSI QUE SUPERCONDENSATEUR L'UTILISANT
(KO) 투명 그래핀 전극과 이의 제조방법, 및 이를 이용한 슈퍼커패시터
Abrégé : front page image
(EN)A transparent graphene electrode according to one embodiment of the present invention comprises: a transparent substrate; a first graphene layer formed on the transparent substrate; a polymer layer formed by autopolymerizing a monomer on one surface of the first graphene layer; and a second graphene layer formed on the polymer layer. In addition, a method for manufacturing a transparent graphene electrode, according to one embodiment of the present invention, comprises the steps of: a) preparing a first stacked structure including a first graphene layer and a second stacked structure including a second graphene layer; b) forming a polymer layer by autopolymerizing a monomer on one surface of the first graphene layer; c) manufacturing a third stacked structure by stacking the second stacked structure on the polymer layer such that the polymer layer comes in contact with the second graphene layer; and d) transferring the third stacked structure onto a transparent substrate such that the first graphene layer comes in contact with the transparent substrate.
(FR)La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, une électrode transparente en graphène qui comprend : un substrat transparent ; une première couche de graphène formée sur le substrat transparent ; une couche de polymère formée par autopolymérisation d'un monomère sur une surface de la première couche de graphène ; et une seconde couche de graphène formée sur la couche de polymère. Selon un autre mode de réalisation, la présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une électrode transparente en graphène qui comprend les étapes consistant à : a) préparer une première structure empilée comprenant une première couche de graphène et une seconde structure empilée comprenant une seconde couche de graphène; b) former une couche de polymère par autopolymérisation d'un monomère sur une surface de la première couche de graphène ; c) fabriquer une troisième structure empilée par empilement de la seconde structure empilée sur la couche de polymère de manière que la couche de polymère entre en contact avec la seconde couche de graphène ; et d) transférer la troisième structure empilée sur un substrat transparent de manière que la première couche de graphène entre en contact avec le substrat transparent.
(KO)본 발명의 일 실시예에 따른 투명 그래핀 전극은 투명기판, 투명기판 상에 형성된 제1그래핀층, 제1그래핀층의 일 표면에서 단량체를 자가중합하여 형성된 고분자층, 및 고분자층 상에 형성된 제2그래핀층을 포함한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 그래핀 전극의 제조 방법은 a) 제1그래핀층을 포함하는 제1적층구조체 및 제2그래핀층을 포함하는 제2적층구조체를 준비하는 단계, b) 제1그래핀층의 일 표면에서 단량체를 자가중합하여 고분자층을 형성하는 단계, c) 고분자층과 제2그래핀층이 접하도록 제2적층구조체를 고분자층 상에 적층하여 제3적층구조체를 제조하는 단계, 및 d) 제1그래핀층과 투명기판이 접하도록 제3적층구조체를 투명기판 상에 전사하는 단계를 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)