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1. (WO2016153090) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE FILM MINCE DE CUIVRE AU MOYEN D'UNE CIBLE DE MONOCRISTAL DE CUIVRE

Pub. No.:    WO/2016/153090    International Application No.:    PCT/KR2015/002837
Publication Date: Fri Sep 30 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Tue Mar 24 00:59:59 CET 2015
IPC: C23C 14/40
C23C 14/44
Applicants: PUSAN NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRIAL-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION
부산대학교 산학협력단
Inventors: JEONG, Se-young
정세영
KIM, Ji-young
김지영
LEE, Seung-hun
이승훈
LEE, Tae-woo
이태우
PARK, Sang-eon
박상언
CHO, Chae-ryong
조채용
Title: PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE FILM MINCE DE CUIVRE AU MOYEN D'UNE CIBLE DE MONOCRISTAL DE CUIVRE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de préparation d'un film mince de cuivre au moyen d'une cible de monocristal de cuivre et, plus spécifiquement, un procédé de préparation d'un film mince de cuivre au moyen d'une cible de monocristal de cuivre, le procédé consistant à effectuer un dépôt sur un substrat de disque en saphir par un procédé de pulvérisation cathodique à haute fréquence au moyen d'une cible de monocristal de cuivre obtenue par le procédé de Czochralski, ce qui permet de préparer un film mince de cuivre avec une excellente qualité du point de vue de la cristallinité. L'invention concerne en outre un procédé de préparation d'un film mince de cuivre au moyen d'une cible de monocristal de cuivre, le procédé mettant en œuvre une cible de monocristal de cuivre en forme de disque obtenue par découpage d'un monocristal de cuivre cylindrique obtenu par le procédé de Czochralski, de manière à effectuer le dépôt sur un substrat de disque en saphir par un procédé de pulvérisation cathodique à haute fréquence, de sorte à former et à préparer un film mince de cuivre.