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1. (WO2016152842) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/152842 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/058952
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 22.03.2016
CIB :
H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 33/04 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : STANLEY ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636, JP
THE UNIVERSITY OF TOKYO[JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654, JP
Inventeurs : FUJIWARA, Takako; JP
SUGIYAMA, Masakazu; JP
Mandataire : LEXT, P.C.; Nishi-Shinjuku Mitsui Bldg. 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-Chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600023, JP
Données relatives à la priorité :
2015-05999023.03.2015JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN) A semiconductor light-emitting element according to the present invention has a first semiconductor layer having a first conductivity type, a light-emitting function layer being formed on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer being formed on the light-emitting function layer and having a second conductivity type being the opposite conductivity type from the first semiconductor layer, and is characterized in that the light-emitting function layer has: a base layer being formed on the first semiconductor layer, having a plurality of base segments which have a composition that receives stress-strain from the first semiconductor layer and are formed in a random mesh shape, and being doped with a dopant of the second conductivity type; and a quantum well light-emitting layer being formed on the base layer.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur comprenant une première couche semi-conductrice présentant un premier type de conductivité, une couche à fonction d'émission de lumière étant formée sur la première couche semi-conductrice, et une seconde couche semi-conductrice étant formée sur la couche à fonction d'émission de lumière et présentant un second type de conductivité qui est le type de conductivité opposé à celui de la première couche semi-conductrice. L'élément électroluminescent à semi-conducteur est caractérisé en ce que la couche à fonction d'émission de lumière comprend une couche de base formée sur la première couche semi-conductrice dotée d'une pluralité de segments de base dont la composition est destinée à recevoir une contrainte-déformation provenant de la première couche semiconductrice et qui sont cloisonnés sous forme de treillis aléatoire, et dopés avec un dopant du second type de conductivité ; et un puits quantique formé sur la couche de base.
(JA)  本発明による半導体発光素子は、第1の導電型を有する第1の半導体層と、当該第1の半導体層上に形成された発光機能層と、当該発光機能層上に形成され、当該第1の半導体層とは反対導電型の第2の導電型を有する第2の半導体層とを有する半導体発光素子であって、当該発光機能層は、当該第1の半導体層上に形成され、当該第1の半導体層から応力歪を受ける組成を有してランダムな網目状に形成された複数のベースセグメントを有し、かつ当該第2の導電型のドーパントがドープされたベース層と、当該ベース層上に形成された量子井戸発光層と、を有することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)