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1. (WO2016152780) TUNGSTÈNE POLYCRISTALLIN, COMPRIMÉ FRITTÉ D'ALLIAGE DE TUNGSTÈNE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE CES DERNIERS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/152780    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/058713
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 18.03.2016
CIB :
B22F 1/00 (2006.01), B22F 3/14 (2006.01), C22C 1/04 (2006.01), C22C 27/02 (2006.01), C22C 27/04 (2006.01), C22C 30/00 (2006.01), C22C 14/00 (2006.01), C22C 16/00 (2006.01), C22C 27/06 (2006.01), C22C 28/00 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventeurs : AKHMADI EKO Wardoyo; (JP).
MATSUO Toshihiko; (JP).
SAKURAZAWA Chihiro; (JP).
MATSUMOTO Shotaro; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-060039 23.03.2015 JP
2016-051244 15.03.2016 JP
Titre (EN) POLYCRYSTALLINE TUNGSTEN, TUNGSTEN ALLOY SINTERED COMPACT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TUNGSTÈNE POLYCRISTALLIN, COMPRIMÉ FRITTÉ D'ALLIAGE DE TUNGSTÈNE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE CES DERNIERS
(JA) 多結晶タングステン及びタングステン合金焼結体並びにその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A starting material powder comprising particles of W, or a starting material powder blended from a powder of W particles and one or more powders of alloy component particles selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, and Mn, or a powder compact molded body thereof, is charged into a pressure sintering apparatus, and while applying pressure of 2.55-13 GPa, is sintered in a temperature range of 1,200°C to the melting point, to obtain a polycrystalline W sinter or polycrystalline W alloy sinter of high density and devoid of anisotropy of the microstructure, having relative density of 99% or greater, and a pore area of 0.2 area% or less, an average crystal grain diameter of 50 μm or less, and an average aspect ratio of crystal grains of 1-2.5, as measured in any cross section of the sintered compact.
(FR)Selon l'invention, une poudre de matière de départ comprenant des particules de W ou une poudre de matière de départ mélangée à partir d'une poudre de particules de W et d'une ou plusieurs poudres de particules de constituants d'alliage choisis dans le groupe constitué par Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo et Mn ou un corps moulé de comprimé de poudre correspondant est chargé dans un appareil de frittage sous pression et, une pression de 2,55 à 13 GPa étant simultanément appliquée, est fritté dans une plage de température allant de 1200 °C au point de fusion, pour obtenir un fritté de W polycristallin ou fritté d'alliage de W polycristallin de haute densité et dépourvu d'anisotropie de la microstructure, ayant une densité relative supérieure ou égale à 99 % et une surface des pores inférieure ou égale à 0,2 % en surface, un diamètre moyen des grains cristallins inférieur ou égal à 50 µm et un rapport de forme moyen des grains cristallins de 1 à 2,5, mesurés dans une quelconque section transversale de ce comprimé fritté.
(JA) W粒子からなる原料粉末、あるいは、W粒子粉末とTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、MoおよびMnのうちから選ばれる1種または2種以上の合金成分粒子粉末を配合した原料粉末あるいはその圧粉成形体を、加圧焼結装置に装入し、2.55GPa以上13GPa以下の加圧力を付加した状態で、1200℃以上融点以下の温度範囲で焼結することにより、相対密度が99%以上であり、焼結体の任意の断面で測定したポア率が0.2面積%以下、平均結晶粒径が50μm以下、結晶粒の平均アスペクト比が1~2.5である高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶W焼結体、多結晶W合金焼結体を得る。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)