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1. (WO2016152536) DIODE À BARRIÈRE DE SCHOTTKY À TENSION DE TENUE ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/152536 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/057421
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 09.03.2016
CIB :
H01L 29/872 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C30B 29/16 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 29/24 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01)
Déposants : TAMURA CORPORATION[JP/JP]; 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511, JP
NATIONAL INSTITUTE OF INFORMATION AND COMMUNICATIONS TECHNOLOGY[JP/JP]; 4-2-1, Nukui-Kitamachi, Koganei-shi, Tokyo 1848795, JP
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY[JP/JP]; 3-8-1, Harumi-cho, Fuchu-shi, Tokyo 1838538, JP
Inventeurs : SASAKI, Kohei; JP
GOTO, Ken; JP
HIGASHIWAKI, Masataka; JP
KOUKITU, Akinori; JP
KUMAGAI, Yoshinao; JP
MURAKAMI, Hisashi; JP
Mandataire : HIRATA, Tadao; JP
Données relatives à la priorité :
2015-05851920.03.2015JP
Titre (EN) HIGH WITHSTAND VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE
(FR) DIODE À BARRIÈRE DE SCHOTTKY À TENSION DE TENUE ÉLEVÉE
(JA) 高耐圧ショットキーバリアダイオード
Abrégé : front page image
(EN) [Problem] To provide a Ga2O3-based high withstand voltage Schottky barrier diode having excellent withstand voltage characteristics. [Solution] According to one embodiment of the present invention, provided is a high withstand voltage Schottky barrier diode 1 having: a first layer 10, which is formed of a first Ga2O3-based single crystal containing a first Group IV element, and Cl at a concentration equal to or lower than 5×1016 cm-3, and which has an effective donor concentration not lower than 1×1013 but not higher than 6.0×1017 cm-3; a second layer 12, which is formed of a second Ga2O3-based single crystal containing a second Group IV element, and which has an effective donor concentration that is higher than that of the first layer 10, said second layer being laminated on the first layer 10; an anode electrode 14 formed on the first layer 10; and a cathode electrode 15 formed on the second layer 12.
(FR) La présente invention a pour objet de pourvoir à une diode à barrière de Schottky à tension de tenue élevée à base de Ga2O3 présentant d'excellentes caractéristiques de tension de tenue. A cet effet, selon un mode de réalisation, une diode à barrière de Schottky à tension de tenue élevée (1) comprend : une première couche (10), qui est formée d'un premier monocristal à base de Ga2O3 contenant un premier élément du groupe IV, et de chlore (Cl) en une concentration inférieure ou égale à 5×1016 cm-3, et qui possède une concentration effective en donneurs supérieure ou égale à 1×1013 mais inférieure à 6,0×1017 cm-3 ; une seconde couche (12), qui est formée d'un second monocristal à base de Ga2O3 contenant un second élément du groupe IV, et qui possède une concentration effective en donneurs qui est supérieure à celle de la première couche (10), ladite seconde couche étant stratifiée sur la première couche (10) ; une électrode d'anode (14) formée sur la première couche (10) ; et une électrode de cathode formée sur la seconde couche (12).
(JA) 【課題】耐圧特性に優れる、Ga系の高耐圧ショットキーバリアダイオードを提供する。 【解決手段】一実施の形態として、第1のIV族元素及び濃度5×1016cm-3以下のClを含む第1のGa系単結晶からなり、実効ドナー濃度が1×1013以上かつ6.0×1017cm-3以下である第1の層10と、第2のIV族元素を含む第2のGa系単結晶からなり、第1の層10よりも実効ドナー濃度が高い、第1の層10に積層された第2の層12と、第1の層10上に形成されたアノード電極14と、第2の層12上に形成されたカソード電極15と、を有する、高耐圧ショットキーバリアダイオード1を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)