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1. (WO2016152421) SUBSTRAT STRATIFIÉ DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT STRATIFIÉ DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/152421 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/056430
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 02.03.2016
CIB :
H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 37/02 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/29 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
04
d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
047
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8246
Structures de mémoires mortes (ROM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
37
Dispositifs thermoélectriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l'effet Nernst-Ettinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
utilisant le changement thermique de la constante diélectrique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
29
Formation d’électrodes, de connexions électriques ou de dispositions de bornes
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED[JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
Inventeurs : HORIKIRI Fumimasa; JP
SHIBATA Kenji; JP
WATANABE Kazutoshi; JP
NOGUCHI Masaki; JP
SUENAGA Kazufumi; JP
Mandataire : POLAIRE I.P.C.; 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
Données relatives à la priorité :
2015-06472626.03.2015JP
Titre (EN) FERROELECTRIC THIN-FILM LAMINATE SUBSTRATE, FERROELECTRIC THIN-FILM ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC THIN-FILM LAMINATE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT STRATIFIÉ DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT STRATIFIÉ DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE
(JA) 強誘電体薄膜積層基板、強誘電体薄膜素子、および強誘電体薄膜積層基板の製造方法
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a niobic acid-based ferroelectric thin-film laminate substrate which can enable a better-than-conventional bonding strength when performing wire bonding in the thin film element, and to provide a ferroelectric thin-film element cut out from said laminate substrate. This ferroelectric thin-film laminate substrate comprises, laminated in order on a substrate, a lower electrode layer, a ferroelectric thin-film layer, an upper electrode adhesion layer and an upper electrode layer, and is characterized in that the lower electrode layer comprises Pt or a Pt alloy, the ferroelectric thin-film layer comprises (K1-xNax)NbO3 (0.4 ≦ x ≦ 0.7), the upper electrode layer comprises Au, the upper electrode adhesion layer comprises a metal which is less prone to oxidation than Ti and which becomes a solid solution-type alloy without producing an intermetallic compound with Au, and part of the upper electrode adhesion layer and part of the upper electrode layer are alloyed.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un substrat stratifié de film mince ferroélectrique à base d'acide niobique qui permet d'obtenir une résistance de liaison meilleure que d'habitude lors de la réalisation d'un microcâblage dans l'élément de film mince, et de fournir un élément de film mince ferroélectrique découpé dans ledit substrat stratifié. Ce substrat stratifié de film mince ferroélectrique comprend, stratifiées dans cet ordre sur un substrat, une couche d'électrode inférieure, une couche de film mince ferroélectrique, une couche d'adhésion d'électrode supérieure et une couche d'électrode supérieure, et est caractérisé en ce que la couche d'électrode inférieure comprend du Pt ou un alliage de Pt, la couche de film mince ferroélectrique comprend (K1-xNax)NbO3 (0,4 ≦ x ≦ 0,7), la couche d'électrode supérieure comprend de l'Au, la couche d'adhésion d'électrode supérieure comprend un métal qui est moins sujet à l'oxydation que le Ti et qui devient un alliage de type solution solide sans production d'un composé intermétallique avec l'Au, et une partie de la couche d'adhésion d'électrode supérieure ainsi qu'une partie de la couche d'électrode supérieure sont alliées.
(JA)  本発明は、薄膜素子においてワイヤボンディングを行った際に、従来以上の接合強度を可能にするニオブ酸系強誘電体薄膜積層基板および該積層基板から切り出した強誘電体薄膜素子を提供することを目的とする。本発明に係る強誘電体薄膜積層基板は、基板上に、下部電極層と強誘電体薄膜層と上部電極密着層と上部電極層とが順次積層された強誘電体薄膜積層基板であって、前記下部電極層はPtまたはPt合金からなり、前記強誘電体薄膜層は(K1-xNax)NbO3(0.4≦ x ≦0.7)からなり、前記上部電極層はAuからなり、前記上部電極密着層はTiよりも難酸化性金属でかつAuと金属間化合物を生成せずに固溶型合金となり得る金属からなり、前記上部電極密着層の一部と前記上部電極層の一部とが合金化していることを特徴とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)