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1. (WO2016152419) SUBSTRAT STRATIFIÉ DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT STRATIFIÉ DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/152419    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/056420
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 02.03.2016
CIB :
H01L 41/047 (2006.01), C01G 33/00 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 37/02 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/29 (2013.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
Inventeurs : HORIKIRI Fumimasa; (JP).
SHIBATA Kenji; (JP).
WATANABE Kazutoshi; (JP).
SUENAGA Kazufumi; (JP).
ENDO Hiroyuki; (JP)
Mandataire : POLAIRE I.P.C.; 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-064704 26.03.2015 JP
Titre (EN) FERROELECTRIC THIN-FILM LAMINATE SUBSTRATE, FERROELECTRIC THIN-FILM ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC THIN-FILM LAMINATE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT STRATIFIÉ DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT STRATIFIÉ DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE
(JA) 強誘電体薄膜積層基板、強誘電体薄膜素子、および強誘電体薄膜積層基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a niobic acid-based ferroelectric thin-film laminate substrate which can reduce costs while maintaining performance and characteristics as a thin-film element, and to provide a ferroelectric thin-film element cut out from said laminate substrate. This ferroelectric thin-film laminate substrate comprises, laminated in order on a substrate, a lower electrode layer, a ferroelectric thin-film layer, an upper electrode intermediate layer and an upper electrode layer, and is characterized in that the lower electrode layer comprises Pt or a Pt alloy, the ferroelectric thin-film layer comprises (K1-xNax)NbO3 (0.4 ≦ x ≦ 0.7), the upper electrode layer comprises Al or an Al alloy, the upper electrode intermediate layer comprises a metal which is less prone to oxidation than Ti and which can produce an intermetallic compound with Al, and part of the upper electrode intermediate layer and part of the upper electrode layer are alloyed.
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un substrat stratifié de film mince ferroélectrique à base d'acide niobique qui permet de réduire les coûts, tout en conservant les performances et les caractéristiques en tant qu'élément de film mince, et de fournir un élément de film mince ferroélectrique découpé dans ledit substrat stratifié. Ce substrat stratifié de film mince ferroélectrique comprend, stratifiées dans cet ordre sur un substrat, une couche d'électrode inférieure, une couche de film mince ferroélectrique, une couche intermédiaire d'électrode supérieure et une couche d'électrode supérieure, et est caractérisé en ce que la couche d'électrode inférieure comprend du Pt ou un alliage de Pt, la couche de film mince ferroélectrique comprend (K1-xNax)NbO3 (0,4 ≦ x ≦ 0,7), la couche d'électrode supérieure comprend de l'Al ou un alliage d'Al, la couche intermédiaire d'électrode supérieure comprend un métal qui est moins sujet à l'oxydation que le Ti et qui peut produire un composé intermétallique avec l'Al, et une partie de la couche intermédiaire d'électrode supérieure ainsi qu'une partie de la couche d'électrode supérieure sont alliées.
(JA) 本発明は、薄膜素子としての性能・特性を維持しながらコスト低減を可能にするニオブ酸系強誘電体薄膜積層基板および該積層基板から切り出した強誘電体薄膜素子を提供することを目的とする。本発明に係る強誘電体薄膜積層基板は、基板上に、下部電極層と強誘電体薄膜層と上部電極中間層と上部電極層とが順次積層された強誘電体薄膜積層基板であって、前記下部電極層はPtまたはPt合金からなり、前記強誘電体薄膜層は(K1-xNax)NbO3(0.4≦ x ≦0.7)からなり、前記上部電極層はAlまたはAl合金からなり、前記上部電極中間層はTiよりも難酸化性金属でかつAlとの金属間化合物を生成し得る金属からなり、前記上部電極中間層の一部と前記上部電極層の一部とが合金化していることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)