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1. (WO2016152308) PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/152308 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/054173
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 12.02.2016
CIB :
B05D 1/40 (2006.01) ,B05D 3/04 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
D
PROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
1
Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces
40
Distribution des liquides ou d'autres matériaux fluides, appliqués par des éléments se déplaçant par rapport à la surface à couvrir
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
D
PROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
3
Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliqués; Traitement ultérieur des revêtements appliqués, p.ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides
04
par exposition à des gaz
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
春本 将彦 HARUMOTO Masahiko; JP
田中 裕二 TANAKA Yuji; JP
Mandataire :
杉谷 勉 SUGITANI Tsutomu; JP
Données relatives à la priorité :
2015-06271825.03.2015JP
Titre (EN) COATING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT
(JA) 塗布方法
Abrégé :
(EN) In the present invention, a substrate W is rotated by a retention and rotation section 2 and the substrate W is coated with a coating liquid film RS; in addition, at least a part of excess coating liquid RS is pushed away toward a marginal section E of the substrate W by centrifugal force in association with the rotation of the substrate W, causing excess coating liquid RS to accumulate along the marginal section E of the substrate W. A gas GS is then blown toward the marginal section E of the substrate W by a gas nozzle 4, and the excess coating liquid RS accumulating at the marginal section E is ejected to the outside of the substrate W. The blowing of the gas GS toward the marginal section E of the substrate W by the gas nozzle 4 makes it possible to break a state of equilibrium of the coating liquid RS remaining and accumulating due to surface tension without being ejected to the outside of the substrate W. Therefore, the rotation makes it possible to achieve a uniform thickness of the coating liquid film RS even when a thick coating liquid film RS is being formed.
(FR) Selon la présente invention, un substrat W est mis en rotation par une section de rétention et de rotation (2) et le substrat W est revêtu d'un film liquide de revêtement RS; en outre, au moins une partie du liquide de revêtement RS en excès est poussée à l'opposé, en direction d'une section marginale E du substrat W par la force centrifuge en association avec la rotation du substrat W, ce qui amène le liquide de revêtement RS en excès à s'accumuler le long de la section marginale E du substrat W. Un gaz GS est ensuite soufflé vers la section marginale E du substrat W par une buse à gaz (4), et le liquide de revêtement RS en excès s'accumulant au niveau de la section marginale E est éjecté à l'extérieur du substrat W. Le soufflage du gaz GS vers la section marginale E du substrat W par la buse à gaz (4) permet la rupture d'un état d'équilibre du liquide de revêtement RS restant et s'accumulant en raison de la tension de surface sans être éjecté vers l'extérieur du substrat W. Par conséquent, la rotation permet d'obtenir une épaisseur uniforme du film de revêtement liquide RS même lorsqu'un film liquide de revêtement RS épais est en cours de formation.
(JA)  保持回転部2により基板Wを回転させて基板W上に塗布液膜RSを形成するとともに、余剰の塗布液RSの少なくとも一部を基板Wの回転に伴う遠心力により基板Wの周縁部Eに向けて押しやって基板Wの周縁部Eに沿って余剰の塗布液RSを盛り上げる。更に、ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付けて、周縁部Eに盛り上がる余剰の塗布液RSを基板W外に排出する。ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付けることで、表面張力によって基板W外に排出されずに留まって盛り上がる塗布液RSの均衡状態を崩すことができる。そのため、回転により、塗布液膜RSを厚く形成しつつ、塗布液膜RSの厚みを均一にできる。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)