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1. (WO2016152228) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM CRISTALLIN POUR CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM CRISTALLIN ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MODULE DE CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM CRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/152228    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/051852
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 22.01.2016
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP)
Inventeurs : UTO, Toshihiko; (JP).
SUEZAKI, Takashi; (JP).
YOSHIDA, Wataru; (JP)
Mandataire : SHINTAKU, Masato; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-061768 24.03.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE FOR SOLAR CELL, METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL MODULE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM CRISTALLIN POUR CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM CRISTALLIN ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MODULE DE CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM CRISTALLIN
(JA) 太陽電池用結晶シリコン基板の製造方法、結晶シリコン系太陽電池の製造方法および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a monocrystalline silicon substrate for solar cells. The method of the present invention includes: forming a texture on the surface of a monocrystalline silicon substrate by bringing an alkaline solution into contact with the surface of the monocrystalline silicon substrate; bringing an acidic solution into contact with the surface of the monocrystalline silicon substrate to perform an acid treatment thereon; and then by bringing ozonated water into contact with the surface of the monocrystalline silicon substrate to perform an ozone treatment thereon. The acidic solution used for the acid treatment is hydrochloric acid. The ozone treatment is preferably performed by immersing the monocrystalline silicon substrate in the ozonated water.
(FR)La présente invention concerne un substrat de silicium monocristallin pour cellules solaires. Le procédé de la présente invention consiste à : former une texture sur la surface d'un substrat de silicium monocristallin en mettant une solution alcaline en contact avec la surface du substrat de silicium monocristallin ; mettre une solution acide en contact avec la surface du substrat de silicium monocristallin afin de mettre en oeuvre un traitement acide sur celui-ci ; et mettre ensuite de l'eau ozonée en contact avec la surface du substrat de silicium monocristallin afin de mettre en oeuvre un traitement à l'ozone sur celui-ci. La solution acide utilisée pour le traitement acide est de l'acide chlorhydrique. Le traitement à l'ozone est de préférence mis en oeuvre par l'immersion du substrat de silicium monocristallin dans l'eau ozonée.
(JA)本発明は、太陽電池用の単結晶シリコン基板の提供を目的とする。本発明の方法では、単結晶シリコン基板の表面にアルカリ溶液を接触させて、単結晶シリコン基板の表面にテクスチャを形成し、単結晶シリコン基板の表面に酸性溶液を接触させて酸処理を実施し、その後に、単結晶シリコン基板の表面にオゾン水を接触させてオゾン処理を実施する。酸処理に用いられる酸性溶液は塩酸である。単結晶シリコン基板をオゾン水浴に浸漬することによりオゾン処理が実施されることが好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)