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1. (WO2016152184) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/152184    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/050338
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 07.01.2016
CIB :
H04N 5/374 (2011.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/353 (2011.01), H04N 5/3745 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : KUDOH, Yoshiharu; (JP)
Mandataire : MARUSHIMA, Toshikazu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-062303 25.03.2015 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR DRIVING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
Abrégé : front page image
(EN)The objective is to reduce the size of a CMOS-type imaging device having a global shutter function. Therefore, in this imaging device a photoelectric conversion unit generates an electrical charge in accordance with an exposure amount for a prescribed exposure period. A generated charge retention unit is formed in a prescribed impurity concentration on a semiconductor substrate, and retains the electrical charge. A generated charge transfer unit enables current to flow between the photoelectric conversion unit and the generated charge retention unit after the exposure period has elapsed, thereby transferring the electrical charge from the photoelectric conversion unit to the generated charge retention unit. An output charge retention unit is formed in substantially the same impurity concentration as the generated charge retention unit, and retains the electrical charge. A retained charge distribution unit enables current to flow between the generated charge retention unit and the output charge retention unit, thereby uniformly distributing the electrical charge retained in the generated charge retention unit to the generated charge retention unit and the output charge retention unit. A signal generation unit generates, as an image signal, a signal in accordance with the electrical charge retained in the output charge retention unit after the distribution by the retained charge distribution unit.
(FR)L'invention vise à réduire la taille d'un dispositif d'imagerie de type CMOS doté d'une fonction d'obturateur global. Dans le dispositif d'imagerie selon l'invention, une unité de conversion photoélectrique génère une charge électrique en fonction d'une quantité d'exposition durant une période d'exposition prescrite. Une unité de rétention de charge générée est formée dans une concentration d'impuretés prescrite sur un substrat semi-conducteur, et retient la charge électrique. Une unité de transfert de charge générée permet au courant de s'écouler entre l'unité de conversion photoélectrique et l'unité de rétention de charge générée après que la période d'exposition s'est écoulée, permettant ainsi à la charge électrique d'être transférée de l'unité de conversion photoélectrique générée à l'unité de rétention de charge. Une unité de rétention de charge de sortie est formée sensiblement dans la même concentration d'impuretés que l'unité de rétention de charge générée, et retient la charge électrique. Une unité de distribution de charge retenue permet au courant de s'écouler entre l'unité de rétention de charge générée et l'unité de rétention de charge de sortie, permettant ainsi à la charge électrique retenue dans l'unité de rétention de charge générée d'être distribuée à l'unité de rétention de charge et l'unité de rétention de charge de sortie. Une unité de génération de signal génère un signal en tant qu'un signal d'image, en fonction de la charge électrique retenue dans l'unité de rétention de charge de sortie après la distribution par l'unité de distribution de charge retenue.
(JA) グローバルシャッタ機能を有するCMOS型の撮像装置を小型化する。 撮像装置において、光電変換部は、所定の露光期間の露光量に応じた電荷を生成する。生成電荷保持部は、半導体基板における所定の不純物濃度に形成されて電荷を保持する。生成電荷転送部は、露光期間の経過後に光電変換部と生成電荷保持部との間を導通させて電荷を光電変換部から生成電荷保持部に転送する。出力電荷保持部は、生成電荷保持部と略同一の不純物濃度に形成されて電荷を保持する。保持電荷配分部は、生成電荷保持部と出力電荷保持部との間を導通させて生成電荷保持部に保持されていた電荷を生成電荷保持部および出力電荷保持部に均一に配分する。信号生成部は、保持電荷配分部における配分の後に出力電荷保持部に保持された電荷に応じた信号を画像信号として生成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)