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1. (WO2016152089) APPAREIL DE PULVÉRISATION CATHODIQUE À HAUTE FRÉQUENCE ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/152089    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/001459
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 15.03.2016
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/40 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
Inventeurs : FUJII, Yoshinori; (JP).
NAKAMURA, Shinya; (JP)
Mandataire : SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 9th Fl., Saisho Bldg., 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-062420 25.03.2015 JP
Titre (EN) HIGH FREQUENCY SPUTTERING APPARATUS AND SPUTTERING METHOD
(FR) APPAREIL DE PULVÉRISATION CATHODIQUE À HAUTE FRÉQUENCE ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) 高周波スパッタリング装置及びスパッタリング方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a high frequency sputtering apparatus that is capable of efficiently forming a film by suppressing a reverse sputtering amount on a substrate to be processed as much as possible. The high frequency sputtering apparatus SM according to the present invention, which inputs a high frequency power to a target 21 in a vacuum and which forms a film on one surface Wa of the substrate to be processed W, comprises a stage 4 that retains the substrate to be processed with one surface thereof being open in an electrically insulated state. The stage comprises a depressed portion 42 in a retention surface of the substrate to be processed, wherein a movable body 44 being connected to earth and being capable of freely moving towards and away from the substrate to be processed is provided in a space43 defined by the other surface of the substrate to be processed and an outline of the depressed portion when the substrate to be processed is retained such that an outer peripheral portion of the substrate to be processed abuts a retention surface 41 of the stage.
(FR)L'invention concerne un appareil de pulvérisation cathodique à haute fréquence qui permet de former efficacement un film par la suppression autant que possible de l'importance d'une pulvérisation cathodique inverse sur un substrat à traiter. L'appareil de pulvérisation cathodique à haute fréquence SM selon la présente invention, qui applique une puissance haute fréquence à une cible (21) dans un vide et qui forme un film sur une surface Wa du substrat à traiter W, comprend une platine (4) qui retient le substrat à traiter, une surface de cette dernière étant ouverte dans un état électriquement isolé. La platine comprend une partie en creux (42) dans une surface de retenue du substrat à traiter, un corps mobile (44) étant relié à la terre et pouvant se déplacer librement vers le substrat à traiter et en s'éloignant de ce dernier étant prévu dans un espace (43) délimité par l'autre surface du substrat à traiter et un contour de la partie en creux lorsque le substrat à traiter est maintenu de façon telle qu'une partie périphérique externe du substrat à traiter vient en butée contre une surface de retenue (41) de la platine.
(JA) 処理基板での逆スパッタリング量を可及的に抑制して効率よく成膜することができる高周波スパッタリング装置を提供する。 真空中でターゲット21に高周波電力を投入し、処理基板Wの片面Waに対し成膜処理する本発明の高周波スパッタリング装置SMは、処理基板の片面を開放しかつ電気的に絶縁した状態で処理基板を保持するステージ4を備える。ステージは、その処理基板の保持面に窪み部42を有し、処理基板の外周縁部がステージの保持面41に当接するように処理基板を保持したときに処理基板他面と窪み部の輪郭とで区画される空間43に、処理基板に対して近接方向または離間方向に移動自在なアースに接続される可動体44を設ける。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)