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1. (WO2016151860) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN TROU DE CONTACT DE PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES, PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES ET AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/151860    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/059488
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 26.03.2015
CIB :
G02F 1/1345 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01)
Déposants : SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 1, Takumicho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : WATANABE, Kibo; (JP)
Mandataire : KOHNO, Hideto; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE OF LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL PANEL, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN TROU DE CONTACT DE PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES, PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES ET AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 液晶パネルのコンタクトホール形成方法、液晶パネル及び液晶表示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method that is for forming contact holes, that does not cause short-circuiting between two substrates sandwiching a liquid crystal layer in relation to contact holes formed on the respective substrates, and that does not cause deterioration of contact resistance within the contact holes. The method is for forming contact holes in a liquid crystal panel in which a liquid crystal layer (not diagrammatically represented) is sealed between an array substrate 20 on which pixel electrodes are arranged and a counter substrate 30 that is arranged opposite to the array substrate 20 and on which a common electrode is formed. A first conductive film 22, an insulation film 23, and a second conductive film 24 are sequentially formed on one of the surfaces via which the array substrate 20 and the counter substrate 30 oppose each other in the liquid crystal panel. A contact hole 12 for electrically connecting the first conductive film 22 and the second conductive film 24 is formed on the insulation film 23 with the method. The method comprises a step for forming, through dry etching, a hole (12) for the contact hole in the insulation film 23 on the first conductive film 22, and a step for depositing the second conductive film 24 on the insulation film 23 and on a part where the hole (12) is formed on the first conductive film 22.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de trous de contact, qui ne provoque pas de court-circuit entre deux substrats prenant en sandwich une couche de cristaux liquides par rapport à des trous de contact formés sur les substrats respectifs, et qui ne provoque pas de détérioration de la résistance de contact à l'intérieur des trous de contact. Le procédé permet de former des trous de contact dans un panneau à cristaux liquides dans lequel une couche de cristaux liquides (non représentée schématiquement) est scellée entre un substrat matriciel 20 sur lequel sont disposées des électrodes de pixel et un contre-substrat 30 qui fait face au substrat matriciel 20 et sur lequel est formée une électrode commune. Un premier film conducteur 22, un film d'isolation 23 et un second film conducteur 24 sont formés selon cet ordre sur l'une des surfaces par laquelle le substrat matriciel 20 et le contre-substrat 30 se font face dans le panneau à cristaux liquides. Selon le procédé, un trou de contact 12 permettant de connecter électriquement le premier film conducteur 22 et le second film conducteur 24 est formé sur le film d'isolation 23. Le procédé comprend une étape consistant à former, par gravure à sec, un trou (12) prévu pour le trou de contact du film d'isolation 23 sur le premier film conducteur 22, et une étape consistant à déposer le second film conducteur 24 sur le film d'isolation 23 et sur une partie dans laquelle le trou (12) est formé sur le premier film conducteur 22.
(JA) 液晶層を挟む2つの基板が、各基板に形成されたコンタクトホールに関連して短絡せず、コンタクトホール内での接触抵抗が劣化しないコンタクトホール形成方法を提供する。 画素電極が配設されたアレイ基板20と、アレイ基板20に対向して配置され、共通電極が形成された対向基板30との間に液晶層(図示せず)が封止されており、アレイ基板20及び対向基板30の向き合う側の何れかの表面側から第1導電膜22、絶縁膜23及び第2導電膜24が順次形成されている液晶パネルの、第1導電膜22及び第2導電膜24を電気的に接続する為のコンタクトホール12を絶縁膜23に形成する液晶パネルのコンタクトホール形成方法。第1導電膜22上の絶縁膜23にコンタクトホールの為の穴(12)をドライエッチングにより設ける手順と、第1導電膜22上の穴(12)が形成された部分、及び絶縁膜23上に第2導電膜24を成膜する手順とを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)