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1. (WO2016151684) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SUPPORT D'ENREGISTREMENT, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Pub. No.:    WO/2016/151684    International Application No.:    PCT/JP2015/058521
Publication Date: Fri Sep 30 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Sat Mar 21 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 21/316
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
株式会社日立国際電気
Inventors: Ohashi, Naofumi
大橋 直史
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SUPPORT D'ENREGISTREMENT, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Abstract:
Le problème décrit par la présente invention est d'obtenir un film d'oxyde de silicium ayant une bonne qualité de film par réduction de groupes hydroxyle dans un film d'oxyde de silicium qui est formé à basse température. La solution de la présente invention concerne un procédé comprenant : une étape consistant à amener un substrat, dont la surface est pourvue d'un film d'oxyde de silicium qui a été formé à une température de traitement inférieure ou égale à 300 °C, à être contenu dans une chambre de traitement; une étape consistant à soumettre de l'hydrogène gazeux à une excitation plasma; et une étape consistant à fournir des espèces actives d'hydrogène, qui ont été générées à l'étape d'excitation plasma de l'hydrogène gazeux, au substrat.