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1. (WO2016151684) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SUPPORT D'ENREGISTREMENT, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/151684    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/058521
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 20.03.2015
CIB :
H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventeurs : Ohashi, Naofumi; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, RECORDING MEDIUM AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SUPPORT D'ENREGISTREMENT, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体装置の製造方法、記録媒体及び基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To obtain a silicon oxide film having good film quality by reducing hydroxyl groups in a silicon oxide film that is formed at low temperatures. [Solution] The present invention performs: a step for having a substrate, the surface of which is provided with a silicon oxide film that is formed at a processing temperature of 300°C or less, contained in a process chamber; a step for subjecting a hydrogen gas to plasma excitation; and a step for supplying hydrogen active species, which have been generated in the step for plasma excitation of a hydrogen gas, to the substrate.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est d'obtenir un film d'oxyde de silicium ayant une bonne qualité de film par réduction de groupes hydroxyle dans un film d'oxyde de silicium qui est formé à basse température. La solution de la présente invention concerne un procédé comprenant : une étape consistant à amener un substrat, dont la surface est pourvue d'un film d'oxyde de silicium qui a été formé à une température de traitement inférieure ou égale à 300 °C, à être contenu dans une chambre de traitement; une étape consistant à soumettre de l'hydrogène gazeux à une excitation plasma; et une étape consistant à fournir des espèces actives d'hydrogène, qui ont été générées à l'étape d'excitation plasma de l'hydrogène gazeux, au substrat.
(JA)課題:低温で形成したシリコン酸化膜中のヒドロキシ基を低減して、膜質の良好なシリコン酸化膜を得る。 解決手段:300℃以下の処理温度において成膜されたシリコン酸化膜が表面に形成された基板を処理容器に収容する工程と、水素ガスをプラズマ励起する工程と、前記水素ガスをプラズマ励起する工程において生成された水素活性種を前記基板に供給する工程とを行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)