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1. (WO2016151112) CORPS SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/151112 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/056649
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 24.03.2016
CIB :
H01L 33/14 (2010.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
14
ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
04
Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042
Excitation électrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
30
Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34
comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique (lasers SQW), lasers à plusieurs puits quantiques (lasers MQW), lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif (lasers GRINSCH)
343
dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro; DE
HIRAI, Asako; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2015 104 665.226.03.2015DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) CORPS SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS
Abrégé :
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor element (100) comprising a semiconductor layer sequence (1) with a first layer (10) of a first conductivity type, a second layer (12) of a second conductivity type, and an active layer (11) which is arranged between the first layer (10) and the second layer (12) and which absorbs or emits electromagnetic radiation when operated as intended. The semiconductor element (100) is equipped with a plurality of injection regions (2) which are arranged adjacently to one another in a lateral direction, wherein the semiconductor layer sequence (1) is doped within each injection region (2) such that the semiconductor layer sequence (1) has the same conductivity type as the first layer (10) within the entire injection region (2). Each injection region (2) passes at least partly through the active layer (11) starting from the first layer (10). Furthermore, each injection region (2) is laterally surrounded by a continuous path of the active layer (11), the active layer (11) being doped less in the path than in the injection region (2) or oppositely thereto. During the operation of the semiconductor element (100), charge carriers reach the injection regions (2) at least partly from the first layer (10) and are directly injected into the active layer (11) from there.
(FR) L'invention concerne un corps semi-conducteur optoélectronique (100) qui comprend une série de couches semi-conductrices (1) avec une première couche (10) d’un premier type de conductivité, une deuxième couche (12) d’un deuxième type de conductivité et une couche active (11), disposée entre la première couche (10) et la deuxième couche (12), qui absorbe ou émet un rayonnement électromagnétique dans des conditions de fonctionnement conformes. Dans le corps semi-conducteur (100) sont présentes une pluralité de zones d’injection (2) disposées les unes à côté des autres dans le sens latéral. À l’intérieur de chaque zone d’injection (2), la série de couches semi-conductrices (1) est dopée de manière que, à l’intérieur de toute la zone d’injection (2), la série de couches semi-conductrices (1) présente le même type de conductivité que la première couche (10). Chaque zone d’injection (2) traverse au moins en partie la couche active (11) à partir de la première couche (10). En outre, chaque zone d’injection (2) est entourée latéralement par une piste contiguë de la couche active (11), dans laquelle la couche active (11) est dopée de manière opposée ou moins dopée que dans la zone d’injection (2). Lors du fonctionnement du corps semi-conducteur (100), des porteurs de charge parviennent au moins en partie depuis la première couche (10) dans les zones d’injection (2) et sont, à partir de là, injectés directement dans la couche active (11).
(DE) Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer zweiten Schicht (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer zwischen der ersten Schicht (10) und der zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), die im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung absorbiert oder emittiert. In dem Halbleiterkörper (100) ist eine Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordneten Injektionsbereichen (2) vorhanden, wobei innerhalb jedes Injektionsbereichs (2) die Halbleiterschichtenfolge (1) derart dotiert ist, dass innerhalb des gesamten Injektionsbereichs (2) die Halbleiterschichtenfolge (1) den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die erste Schicht (10) aufweist. Dabei durchdringt jeder Injektionsbereich (2) ausgehend von der ersten Schicht (10) die aktive Schicht (11) zumindest teilweise. Ferner ist jeder Injektionsbereich (2) lateral von einer zusammenhängenden Bahn der aktiven Schicht (11) umgeben, in der dieaktive Schicht (11) weniger oder entgegengesetzt dotiert ist als im Injektionsbereich (2). Im Betrieb des Halbleiterkörpers (100) gelangen Ladungsträger zumindest teilweise von der ersten Schicht (10) in die Injektionsbereiche (2) und werden von dort aus direkt in die aktive Schicht (11) injiziert.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)