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1. (WO2016150788) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT CHIMIQUE D'UN SUBSTRAT DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/150788 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/055668
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 16.03.2016
CIB :
H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
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pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
Déposants :
RCT SOLUTIONS GMBH [DE/DE]; Turmstrasse 20 78467 Konstanz, DE
Inventeurs :
FATH, Peter; DE
KELLER, Steffen; DE
MELNYK, Ihor; DE
Mandataire :
RAU, SCHNECK & HÜBNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB; Königstrasse 2 90402 Nürnberg, DE
Données relatives à la priorité :
10 2015 205 437.325.03.2015DE
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR THE CHEMICAL TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT CHIMIQUE D'UN SUBSTRAT DE SEMI-CONDUCTEUR
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR CHEMISCHEN BEHANDLUNG EINES HALBLEITER-SUBSTRATS
Abrégé :
(EN) A device (1) for the chemical treatment of a semiconductor substrate (2) has a pretreatment device (4) that is arranged, in a transport direction (3) of the semiconductor substrate (2), upstream of a first deposition device (5) and of a second deposition device (6). The pretreatment device (4) serves to create a peripheral boundary layer on the semiconductor substrate (2) such that a protective fluid (22), deposited subsequently by means of the first deposition device (5), is contained and retained on a substrate top side (23). This avoids the protective fluid (22) contaminating a process fluid (28) in the subsequent second deposition device (6), such that the device (1) has high operating efficiency in a simple manner.
(FR) L'invention concerne un dispositif (1) de traitement chimique d'un substrat (2) de semi-conducteur, comprenant un dispositif de prétraitement (4) qui est disposé en amont d'un premier dispositif d'application (5) et d'un deuxième dispositif d'application (6) dans une direction de transport (3) du substrat (2) de semi-conducteur. Le dispositif de prétraitement (4) sert à la production d'une zone de délimitation périphérique du substrat (2) de semi-conducteur, de manière telle qu'un fluide protecteur (22), appliqué consécutivement à l'aide du premier dispositif d'application (5), est circonscrit à et maintenu sur une face supérieure (23) du substrat. Toute contamination d'un fluide de traitement (28) par le fluide protecteur (22) est empêchée dans le deuxième dispositif d'application (6) consécutif, le dispositif (1) présentant ainsi une grande rentabilité de manière simple.
(DE) Eine Vorrichtung (1) zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats (2) weist eine Vorbehandlungseinrichtung (4) auf, die in einer Transportrichtung (3) des Halbleiter-Substrats (2) vor einer ersten Auftragseinrichtung (5) und einer zweiten Auftragseinrichtung (6) angeordnet ist. Die Vorbehandlungseinrichtung (4) dient zur Erzeugung eines umlaufenden Begrenzungsbereichs an dem Halbleiter-Substrat (2), sodass ein nachfolgendmittels der ersten Auftragseinrichtung (5) aufgebrachtes Schutzfluid (22) auf einer Substrat-Oberseite (23) eingegrenzt und gehalten wird. Hierdurch wird eine Verunreinigung eines Prozessfluids (28) durch das Schutzfluid (22) in der nachfolgenden zweiten Auftragseinrichtung (6) vermieden, wodurch die Vorrichtung (1) in einfacher Weise eine hohe Wirtschaftlichkeit aufweist.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)