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1. (WO2016150287) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION D'APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2016/150287    International Application No.:    PCT/CN2016/075422
Publication Date: Fri Sep 30 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Fri Mar 04 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/02
H01L 21/768
H01L 21/60
H01L 21/67
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: LU, Xiaoyong
陆小勇
TIAN, Hongwei
田宏伟
ZUO, Yueping
左岳平
XU, Xiaowei
许晓伟
XU, Wenqing
徐文清
LONG, Chunping
龙春平
Title: PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION D'APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un procédé et un dispositif de fabrication d'appareil à semi-conducteur. Le procédé consiste : à former une première couche de câblage sur une plaque de base d'un substrat (1001) ; à former une couche de diélectrique intercouche avec des trous de contact sur la première couche de câblage (1002) ; à nettoyer les fonds des trous de contact par utilisation d'un procédé de nettoyage à sec (1003) ; à former une seconde couche de câblage sur la couche de diélectrique intercouche ; et à connecter électriquement la seconde couche de câblage et la première couche de câblage par l'intermédiaire des trous de contact (1004). Par ce procédé, des polluants résiduels et des couches d'oxyde naturel sur les fonds des trous de contact peuvent être éliminés, le cas où les polluants résiduels et les couches d'oxyde naturel sont de nouveau générés peut être évité, la résistance de contact est réduite et les performances du dispositif à semi-conducteur sont améliorées.