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1. (WO2016150122) SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/150122    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/089997
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 18.09.2015
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : LIU, Xiaodi; (CN).
WANG, Gang; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510132293.3 25.03.2015 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an array substrate, comprising: a gate electrode layer (2), active layer (4), and source/drain electrode layer (6) arranged on a substrate (1); the substrate (1) comprises a storage capacitance region (II); on the storage capacitance region (II), the projections of the gate electrode layer (2) and the active layer (4) onto the substrate (1) at least partially overlap; the projections of the source/drain electrode layer (6) and the active layer (4) onto the substrate (1) at least partially overlap. The array substrate effectively increases storage capacitance while not increasing the area occupied by storage capacitance, which is conducive to reducing pixel area and increasing PPI.
(FR)L'invention concerne un substrat matriciel, comprenant : une couche d'électrode de grille (2), une couche active (4), et une couche d'électrode source/drain (6) disposées sur un substrat (1) ; le substrat (1) comprenant une région de capacité de stockage (II) ; sur la région de capacité de stockage (II), les saillies de la couche d'électrode de grille (2) et de la couche active (4) sur le substrat (1) se chevauchent au moins partiellement ; et les saillies de la couche d'électrode source/drain (6) et de la couche active (4) sur le substrat (1) se chevauchent au moins partiellement. Le substrat matriciel augmente de manière efficace la capacité de stockage tout en n'augmentant pas la zone occupée par la capacité de stockage, ce qui est propice à une réduction de la zone de pixels et à une augmentation des pixels par pouce (PPI).
(ZH)一种阵列基板,包括:在衬底(1)上设置的栅电极层(2)、有源层(4)和源漏电极层(6),该衬底(1)上包括存储电容区(II);在存储电容区(II),该栅电极层(2)和该有源层(4)在衬底(1)上的投影至少部分重合,该有源层(2)和该源漏电极层(6)在衬底(1)上的投影至少部分重合。该阵列基板能够在不增大存储电容所占面积的同时有效增大存储电容,有利于减小像素面积,增大PPI。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)