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1. (WO2016150073) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SUBSTRAT DE RÉSEAU, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/150073    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/086633
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 11.08.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : LIU, Xiaodi; (CN).
WANG, Gang; (CN)
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510129225.1 24.03.2015 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND ARRAY SUBSTRATE, AND FABRICATION METHOD THEREOF AND DISPLAY DEVICE THEREOF
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SUBSTRAT DE RÉSEAU, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ASSOCIÉ
(ZH) 薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a thin film transistor and an array substrate, a fabrication method thereof, and a display device thereof, relating to the technical field of displays and capable of improving threshold voltage shift in a thin film transistor and increasing the stability and reliability of an array substrate. The thin film transistor comprises an active layer (4) and a gate insulating layer (3); the material of the active layer is a metal oxide semiconductor; during the process of forming the thin film transistor, the gate insulating layer (3) feeds oxygen to the active layer (4) so as to reduce the interface state density and movable impurity concentration of the contact interface between the active layer (4) and the gate insulating layer (3).
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces et un substrat de réseau, un procédé de fabrication associé, et un dispositif d'affichage associé, concernant le domaine technique des écrans d'affichage et susceptibles d'améliorer un décalage de tension de seuil dans un transistor à couches minces et d'augmenter la stabilité et la fiabilité d'un substrat de réseau. Le transistor à couches minces comprend une couche active (4) et une couche d'isolation de grille (3) ; le matériau de la couche active est un semi-conducteur à oxyde métallique ; au cours du processus de formation du transistor à couches minces, la couche d'isolation de grille (3) alimente en oxygène la couche active (4) de manière à réduire la densité d'état d'interface et la concentration en impuretés mobiles de l'interface de contact entre la couche active (4) et la couche d'isolation de grille (3).
(ZH)一种薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够改善薄膜晶体管的阈值电压漂移现象,提高阵列基板的稳定性和可靠性。该薄膜晶体管包括有源层(4)和栅极绝缘层(3),所述有源层的材质为金属氧化物半导体,在所述薄膜晶体管形成过程中,所述栅极绝缘层(3)向所述有源层(4)输氧,以降低所述有源层(4)和所述栅极绝缘层(3)之间的接触界面的界面态密度和可动杂质浓度。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)