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1. (WO2016150056) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/150056    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/085302
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 28.07.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : WANG, Longyan; (CN).
LI, Yongqian; (CN).
CAO, Kun; (CN).
LI, Quanhu; (CN).
YIN, Jingwen; (CN).
ZHANG, Baoxia; (CN).
GAI, Cuili; (CN).
WU, Zhongyuan; (CN).
WANG, Gang; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510134375.1 25.03.2015 CN
Titre (EN) THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制造方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A thin-film transistor and a manufacturing method therefor, and a display device. The thin-film transistor comprises: a grid electrode (21), an active layer (23), a source electrode (241) and a drain electrode (242), the source electrode (241) and the drain electrode (242) being composed of at least two materials; forming materials of the source electrode (241) and the drain electrode (242) can be subjected to cell reaction in corresponding etching solutions so as to be etched, and a material of the active layer (23) cannot be corroded by an etching solution. According to the thin-film transistor and the manufacturing method therefor of embodiments of the present invention, the problem of easy corrosion of the active layer in an etching process of the source electrode and the drain electrode can be solved, so that a back channel etching technology can be adopted to prepare a thin-film transistor device, thereby reducing the technological frequency of thin-film transistor manufacturing and saving the manufacturing cost.
(FR)L’invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication, ainsi qu'un dispositif d’affichage. Le transistor à couches minces comprend : une électrode de grille (21), une couche active (23), une électrode source (241) et une électrode de drain (242), l'électrode source (241) et l'électrode de drain (242) étant composées d'au moins deux matériaux ; des matériaux de formation de l'électrode source (241) et de l'électrode de drain (242) peuvent être soumis à une réaction de cellule dans des solutions de gravure correspondantes, de manière à être gravés et un matériau de la couche active (23) ne peut pas être corrodé par une solution de gravure. Selon le transistor à couches minces et le procédé de fabrication associé de modes de réalisation de la présente invention, le problème d'une corrosion facile de la couche active lors d'un procédé de gravure de l'électrode source et de l'électrode de drain peut être résolu, de sorte qu'une technologie de gravure de canal de retour puisse être adoptée pour préparer un dispositif de transistor à couches minces, ce qui permet de réduire la fréquence technologique de fabrication de transistor à couches minces et réduit les coûts de fabrication.
(ZH)一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置。该薄膜晶体管包括:栅极(21)、有源层(23)、源极(241)和漏极(242),所述源极(241)和漏极(242)由至少两种材料形成,所述源极(241)和漏极(242)的形成材料能在对应的刻蚀液中发生电池反应从而被刻蚀,且所述有源层(23)的材料不被该刻蚀液腐蚀。根据本发明实施例的薄膜晶体管及其制造方法能够解决有源层在源极和漏极的刻蚀工序中易被腐蚀的问题,从而能够采用背沟道刻蚀工艺制备薄膜晶体管器件,减少薄膜晶体管制造的工艺次数,节省制造成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)