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1. (WO2016150042) TÊTE DE PULVÉRISATION À SURFACE BOMBÉE APPLICABLE À UN DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/150042 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/084430
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 20.07.2015
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Déposants :
沈阳拓荆科技有限公司 SHENYANG PIOTECH CO., LTD. [CN/CN]; 中国辽宁省沈阳市 浑南新区新源街1-1号三层 3rd Floor, No. 1-1 Xinyuan Street, Hunnan New District Shenyang City, Liaoning 110000, CN
Inventeurs :
于棚 YU, Peng; CN
刘忆军 LIU, Yijun; CN
Mandataire :
沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) SHENYANG WEITE PATENT AND TRADEMARK AGENCY(GENERAL PARTNERSHIP); 中国辽宁省沈阳市 和平区南京南街56号明日大厦808屈芳 Room 808, Mingri Building,Qu Fang No.56,South Nanjing Street, Heping District Shenyang City, Liaoning 110000, CN
Données relatives à la priorité :
201510133582.525.03.2015CN
Titre (EN) SPRAYING HEAD OF CAMBERED SURFACE APPLICABLE TO SEMICONDUCTOR PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) TÊTE DE PULVÉRISATION À SURFACE BOMBÉE APPLICABLE À UN DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA DE SEMI-CONDUCTEURS
(ZH) 一种应用于半导体等离子体处理装置的弧面喷淋头
Abrégé :
(EN) Disclosed is a spraying head (2) of a cambered surface applicable to a semiconductor plasma treatment device, which mainly solves the technical problems of poor uniformity and a relatively low gas utilization rate in the prior art. The spraying head (2) and a carrying stage (5) form opposite faces, which are provided in a reaction cavity, and a gas is supplied from the spraying head (2) towards the carrying stage (5) in a spraying manner. A lower surface of the spraying head (2) is an arc structure, that is to say, the distances between all the points on the lower surface of the spraying head (2) and the carrying stage (5) are not equivalent, and the d from a centre to an edge is not a fixed value but a gradient value. A plurality of through-holes (1) are provided in a spraying opening region of the spraying head (2), and are used for supplying gas in a spraying manner. The area of the cambered surface structure region below the spraying head (2) accounts for 1%-100% of the area of the lower surface of the spraying head. The cambered surface structure of the lower surface of the spraying head (2) can realize uniform treatment of the semiconductor plasma treatment process, can improve the utilization rate of the gas in a simple and effective manner, and can be widely applied to the technical field of semiconductor manufacturing.
(FR) L'invention concerne une tête de pulvérisation (2) présentant une surface bombée, applicable à un dispositif de traitement par plasma de semi-conducteurs, qui résout principalement les problèmes techniques de médiocre uniformité et de relativement faible taux d'utilisation du gaz dans l'état de la technique. La tête de pulvérisation (2) et une platine de support (5) forment des faces opposées, qui sont disposées dans une cavité de réaction, et un gaz est fourni par la tête de pulvérisation (2) vers la platine de support (5) en mode de pulvérisation. Une surface inférieure de la tête de pulvérisation (2) est une structure arquée, c'est-à-dire que les distances d entre tous les points sur la surface inférieure de la tête de pulvérisation (2) et la platine de support (5) ne sont pas équivalentes, et quand on va d'un centre vers un bord, d n'est pas une valeur fixe mais une valeur à gradient. Une pluralité de trous traversants (1) sont ménagés dans une région d'ouverture de pulvérisation de la tête de pulvérisation (2), et sont utilisés pour fournir du gaz en mode de pulvérisation. L'aire de la zone à structure de surface bombée au-dessous de la tête de pulvérisation (2) représente de 1 % à 100 % de l'aire de la surface inférieure de la tête de pulvérisation. La structure de surface bombée de la surface inférieure de la tête de pulvérisation (2) peut réaliser un traitement uniforme dans le processus de traitement par plasma de semi-conducteurs, peut améliorer le taux d'utilisation du gaz d'une manière simple et efficace, et peut être largement appliquée au domaine technique de la fabrication de semi-conducteurs.
(ZH) 一种应用于半导体等离子体处理装置的弧面喷淋头(2),主要解决现有技术均匀性不够好、气体利用率较低的技术问题。该喷淋头(2)与载物台(5)形成相对面,设置于反应腔室中,从喷淋头(2)以喷淋状向载物台(5)进行气体供给。该喷淋头(2)下表面为弧形结构,即喷淋头(2)下表面各处与载物台(5)的距离不等值,从中心到边缘的d不是固定值,是渐变值。该喷淋头(2)的喷淋开孔区域设置有多个通孔(1),用于气体的喷淋状供给。该喷淋头(2)下面的弧面结构区域面积占喷淋头下表面积的1%-100%。通过喷淋头(2)下表面的弧面结构可实现半导体等离子体处理工艺制程的均匀处理,能够简单有效地提高气体的利用率,可广泛应用于半导体制造技术领域。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)