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1. (WO2016149573) ENCAPSULATION DE NITRURE PULSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/149573    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/023035
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 18.03.2016
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Ave. Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : REILLY, Patrick James; (US).
BETHKE, David Alan; (US).
BALSEANU, Mihaela; (US)
Mandataire : BROWN, Kyle; (US)
Données relatives à la priorité :
62/134,964 18.03.2015 US
15/071,523 16.03.2016 US
Titre (EN) PULSED NITRIDE ENCAPSULATION
(FR) ENCAPSULATION DE NITRURE PULSÉ
Abrégé : front page image
(EN)Aspects of the disclosure pertain to methods of forming conformal liners on patterned substrates having high height-to-width aspect ratio gaps. Layers formed according to embodiments outlined herein have been found to inhibit diffusion and electrical leakage across the conformal liners. The liners may comprise nitrogen and be described as nitride layers according to embodiments. The conformal liners may comprise silicon and nitrogen and may consist of silicon and nitrogen in embodiments. Methods described herein may comprise introducing a silicon-containing precursor and a nitrogen-containing precursor into a substrate processing region and concurrently applying a pulsed plasma power capacitively to the substrate processing region to form the conformal layer.
(FR)La présente invention concerne, par certains aspects, des procédés de formation de revêtements conformes sur des substrats à motifs présentant des espaces à haut rapport d'aspect hauteur/largeur. On a constaté que des couches formées selon des modes de réalisation décrits dans la description empêchent la diffusion et les fuites électriques à travers les revêtements conformes. Les revêtements peuvent comprendre de l'azote et être décrits en tant que couches de nitrure selon des modes de réalisation. Les revêtements conformes peuvent comprendre du silicium et de l'azote et peuvent être constitués de silicium et d'azote dans des modes de réalisation. Les procédés décrits dans la description peuvent comprendre l'introduction d'un précurseur contenant du silicium et d'un précurseur contenant de l'azote dans une région de traitement de substrat et l'application simultanée d'une énergie plasma pulsée de façon capacitive à la région de traitement de substrat pour former la couche conforme.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)