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1. (WO2016149515) COMMANDE DE L'UNIFORMITÉ AZIMUTALE D'UN PROCESSUS DE GRAVURE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/149515    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/022906
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 17.03.2016
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : MATTSON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 47131 Bayside Parkway Fremont, California 94538 (US)
Inventeurs : NAGORNY, Vladimir; (US)
Mandataire : WORKMAN, J., Parks; (US)
Données relatives à la priorité :
62/135,437 19.03.2015 US
Titre (EN) CONTROLLING AZIMUTHAL UNIFORMITY OF ETCH PROCESS IN PLASMA PROCESSING CHAMBER
(FR) COMMANDE DE L'UNIFORMITÉ AZIMUTALE D'UN PROCESSUS DE GRAVURE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus, systems, and methods for controlling azimuthal uniformity of an etch process in a plasma processing chamber are provided. In one embodiment, a plasma processing apparatus can include a plasma processing chamber and an RF cage disposed above the plasma processing chamber. A dielectric window can separate the plasma processing chamber and the RF cage. The apparatus can include a plasma generating coil disposed above the dielectric window. The plasma generating coil can be operable to generate an inductively coupled plasma in the plasma processing chamber when energized. The apparatus further includes a conductive surface disposed within the RF cage proximate to at least a portion of the plasma generating coil. The conductive surface is arranged to generate an azimuthally variable inductive coupling between the conductive surface and the plasma generating coil when the plasma generating coil is energized.
(FR)L'invention concerne un appareil, des systèmes et des procédés permettant de commander l'uniformité azimutale d'un processus de gravure dans une chambre de traitement au plasma. Dans un mode de réalisation, un appareil de traitement au plasma peut comprendre une chambre de traitement au plasma et une cage RF agencée au-dessus de la chambre de traitement au plasma. Une fenêtre diélectrique peut séparer la chambre de traitement au plasma et la cage RF. L'appareil peut comprendre une bobine de génération de plasma disposée au-dessus de la fenêtre diélectrique. La bobine de génération de plasma peut servir à générer un plasma couplé de manière inductive dans la chambre de traitement au plasma lorsqu'elle est excitée. L'appareil comprend en outre une surface conductrice disposée à l'intérieur de la cage RF à proximité d'au moins une partie de la bobine de génération de plasma. La surface conductrice est agencée de manière à générer un couplage inductif variable de façon azimutale entre la surface conductrice et la bobine de génération de plasma lorsque la bobine de génération de plasma est excitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)