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1. (WO2016149146) MISE EN PARALLÈLE DE DISPOSITIFS DE COMMUTATION DE CIRCUITS À HAUTE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/149146    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/022214
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 11.03.2016
CIB :
H03K 17/12 (2006.01), H03K 17/16 (2006.01), H03K 17/64 (2006.01)
Déposants : TRANSPHORM, INC. [US/US]; 115 Castillian Drive Goleta, CA 93117 (US)
Inventeurs : WANG, Zhan; (US)
Mandataire : VACAR, Dan, V.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/133,253 13.03.2015 US
Titre (EN) PARALLELING OF SWITCHING DEVICES FOR HIGH POWER CIRCUITS
(FR) MISE EN PARALLÈLE DE DISPOSITIFS DE COMMUTATION DE CIRCUITS À HAUTE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A circuit includes first and second half bridges, a first inductor, a second inductor, and a main inductor. The half bridges each include a high side switch, a low side switch, and a gate driver configured to apply switching signals to the high side switch and the low side switch. The first inductor has one side electrically connected to an output node of the first half bridge between the high side switch and the low side switch. The second inductor has one side electrically connected to an output node of the second half bridge between the high side switch and the low side switch. The main inductor is coupled to a node between the other sides of the first and second inductors. The main inductor has a greater inductance than each of the first and second inductors, and the first and second inductors are inversely coupled to one another.
(FR)L'invention concerne un circuit comprenant des premier et second demi-ponts, une première bobine d'induction, une seconde bobine d'induction et une bobine d'induction principale. Les demi-ponts comprennent chacun un commutateur côté haut, un commutateur côté bas, et un circuit d'attaque de grille conçu pour appliquer des signaux de commutation au commutateur côté haut et au commutateur côté bas. La première bobine d'induction possède un côté connecté électriquement à un nœud de sortie du premier demi-pont entre le commutateur côté haut et le commutateur côté bas. La seconde bobine d'induction possède un côté connecté électriquement à un nœud de sortie du second demi-pont entre le commutateur côté haut et le commutateur côté bas. La bobine d'induction principale est couplée à un nœud entre les autres côtés des première et seconde bobines d'induction. La bobine d'induction principale présente une inductance supérieure à celle de chacune des première et seconde bobines d'induction, et les première et seconde bobines d'induction sont inversement couplées l'une à l'autre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)