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1. (WO2016148873) CELLULE MÉMOIRE NON VOLATILE À GRILLE DIVISÉE À STRUCTURE FINFET EN 3D ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2016/148873    International Application No.:    PCT/US2016/019860
Publication Date: Fri Sep 23 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Sat Feb 27 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/28
H01L 29/423
H01L 29/66
H01L 29/78
H01L 29/788
H01L 27/115
Applicants: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
Inventors: SU, Chien-Sheng
YANG, Jeng-Wei
WU, Man-Tang
TRAN, Hieu Van
DO, Nhan
CHEN, Chun-Ming
Title: CELLULE MÉMOIRE NON VOLATILE À GRILLE DIVISÉE À STRUCTURE FINFET EN 3D ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L’invention concerne une cellule mémoire non volatile incluant un substrat semi-conducteur comportant une surface supérieure en forme d’ailette avec une surface de dessus et deux surfaces latérales. Des zones de source et de drain sont formées dans la partie de surface supérieure en forme d’ailette, une zone de canal étant insérée entre elles. Une grille flottante conductrice inclut une première partie s’étendant le long d’une première partie de la surface de dessus, et de deuxième et troisième parties s’étendant le long de premières parties des deux surfaces latérales, respectivement. Une grille de commande conductrice inclut une première partie s’étendant le long d’une deuxième partie de la surface de dessus, de deuxième et troisième parties s’étendant le long de deuxièmes parties des deux surfaces latérales respectivement, une quatrième partie s’étendant vers le haut et au-dessus d’au moins une partie de la première partie de grille flottante, et des cinquième et sixième parties s’étendant vers l’extérieur et au-dessus d’au moins une partie des deuxième et troisième parties de grille flottante respectivement.