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1. (WO2016148873) CELLULE MÉMOIRE NON VOLATILE À GRILLE DIVISÉE À STRUCTURE FINFET EN 3D ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/148873    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/019860
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 26.02.2016
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : SU, Chien-Sheng; (US).
YANG, Jeng-Wei; (TW).
WU, Man-Tang; (TW).
TRAN, Hieu Van; (US).
DO, Nhan; (US).
CHEN, Chun-Ming; (TW)
Mandataire : LIMBACH, Alan, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/050,309 22.02.2016 US
62/134,489 17.03.2015 US
Titre (EN) SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY CELL WITH 3D FINFET STRUCTURE, AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) CELLULE MÉMOIRE NON VOLATILE À GRILLE DIVISÉE À STRUCTURE FINFET EN 3D ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile memory cell including a semiconductor substrate having a fin shaped upper surface with a top surface and two side surfaces. Source and drain regions are formed in the fin shaped upper surface portion with a channel region there between. A conductive floating gate includes a first portion extending along a first portion of the top surface, and second and third portions extending along first portions of the two side surfaces, respectively. A conductive control gate includes a first portion extending along a second portion of the top surface, second and third portions extending along second portions of the two side surfaces respectively, a fourth portion extending up and over at least some of the floating gate first portion, and fifth and sixth portions extending out and over at least some of the floating gate second and third portions respectively.
(FR)L’invention concerne une cellule mémoire non volatile incluant un substrat semi-conducteur comportant une surface supérieure en forme d’ailette avec une surface de dessus et deux surfaces latérales. Des zones de source et de drain sont formées dans la partie de surface supérieure en forme d’ailette, une zone de canal étant insérée entre elles. Une grille flottante conductrice inclut une première partie s’étendant le long d’une première partie de la surface de dessus, et de deuxième et troisième parties s’étendant le long de premières parties des deux surfaces latérales, respectivement. Une grille de commande conductrice inclut une première partie s’étendant le long d’une deuxième partie de la surface de dessus, de deuxième et troisième parties s’étendant le long de deuxièmes parties des deux surfaces latérales respectivement, une quatrième partie s’étendant vers le haut et au-dessus d’au moins une partie de la première partie de grille flottante, et des cinquième et sixième parties s’étendant vers l’extérieur et au-dessus d’au moins une partie des deuxième et troisième parties de grille flottante respectivement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)