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1. (WO2016148782) DISPOSITIF DE DÉCALAGE DE NIVEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/148782 N° de la demande internationale : PCT/US2016/015691
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 29.01.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 17.01.2017
CIB :
H03K 17/689 (2006.01) ,H03K 19/0185 (2006.01)
Déposants : PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORPORATION[US/US]; 9380 Carroll Park Drive San Diego, California 92121, US
Inventeurs : GREEN, Merlin; US
BURGENER, Mark L.; US
SWONGER, James W.; US
ABESINGHA, Buddhika; US
REEDY, Ronald Eugene; US
Mandataire : STEINFL, Alessandro; US
Données relatives à la priorité :
14/661,84818.03.2015US
Titre (EN) LEVEL SHIFTER
(FR) DISPOSITIF DE DÉCALAGE DE NIVEAU
Abrégé : front page image
(EN) Systems, methods, and apparatus for use in biasing and driving high voltage semiconductor devices (T2) using only low voltage transistors are described. The apparatus and method are adapted to control multiple high voltage semiconductor devices to enable high voltage power control, such as power amplifiers, power management and conversion and other applications wherein a first voltage (VIN) is large compared to the maximum voltage handling of the low voltage control transistors. A DC/DC power conversion implementation from high input voltage to low output voltage using a novel level shifter which uses only low voltage transistors is also provided. Also presented is a level shifter (325) in which floating nodes (Vdd2+SW, SW) and high voltage capacitive coupling (320) and control enable the high voltage control with low voltage transistors.
(FR) La présente invention concerne des systèmes, des procédés et un appareil à utiliser pour polariser et entraîner des dispositifs à semi-conducteurs haute-tension (T2) seulement à l'aide de transistors basse-tension. L'appareil et le procédé sont conçus pour commander de multiples dispositifs à semi-conducteurs haute-tension pour permettre une commande de puissance haute-tension, tels que des amplificateurs de puissance, des applications de gestion et de conversion de puissance et autres applications dans lesquels une première tension (VIN) est grande par rapport à la manipulation de tension maximale des transistors de commande basse-tension. L'invention décrit également une mise en oeuvre de conversion de puissance CC/CC d'une tension d'entrée élevée à une tension de sortie faible à l'aide d'un nouveau dispositif de décalage de niveau qui n'utilise que des transistors basse-tension. L'invention concerne également un dispositif de décalage de niveau (325) dans lequel des nœuds flottants (Vdd2 + SW, SW) et une commande ainsi qu'un couplage capacitif haute-tension (320) permettent la commande haute-tension à l'aide de transistors basse- tension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)